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J-GLOBAL ID：201902252788029322   整理番号：19A1334828

28nm FDSOI技術における8Mbit埋込みSTT-MRAMの信頼性【JST・京大機械翻訳】

Reliability of 8Mbit Embedded-STT-MRAM in 28nm FDSOI Technology

著者 (23件)： Ji Y. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Goo H. J. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Lim J. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Lee S. B. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Lee S. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Uemura T. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Park J. C. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Han S. I. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Shin S. C. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Lee J. H. (Samsung Electronics, R&D Center, Hwasung, Korea) ,  Song Y. J. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Lee K. M. (Samsung Electronics, R&D Center, Hwasung, Korea) ,  Shin H. M. (Samsung Electronics, R&D Center, Hwasung, Korea) ,  Hwang S. H. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Seo B. Y. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Lee Y. K. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Kim J. C. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Koh G. H. (Samsung Electronics, R&D Center, Hwasung, Korea) ,  Park K. C. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Pae S. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Jeong G. T. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Yoon J. S. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea) ,  Jung E. S. (Samsung Electronics, Foundry Business, Kiheung, San #24 Nongseo-Dong Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 446-711, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IRPS  ページ： 1-3  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ST-MRAMは次世代メモリとして注目されている。しかし,種々のMRAM信頼性項目については多くの論文が利用できない。本論文では,種々の信頼性応力の下でECCオフモードを有するST-MRAMのFBC傾向を研究した。また,製品設計のための磁気免疫の特性化を示した。ST-MRAMは,パッケージレベルの信頼性応力,磁気応力および放射応力の後でも,FBC変化に対してロバスト性を示した。ECCオフモードによる無視できるFBC変化は,モードに関してECCによってゼロFBCになった。これは,著者らの固有MRAM信頼性がロバストであり,ECCのような設計方式によって,著者らのST-MRAMが大量生産のために準備できることを示唆した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  磁気 ,  *信頼性 ,  製品設計 ,  大量生産 ,  キャラクタリゼーション ,  ロバスト性
準シソーラス用語： *FDSOI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  生体計測  (EL03020C)

タイトルに関連する用語 (3件)： FDSOI ,  埋込み ,  STT-MRAM