文献

J-GLOBAL ID：201902252852441030   整理番号：19A2643835

CdおよびTa不純物サイトにおける局所構造と電場勾配の研究のためのGIPAWアプローチ ドープしたイットリアセラミックへの応用【JST・京大機械翻訳】

The GIPAW approach for the study of local structures and the electric field gradients at Cd and Ta impurity sites. Application to doped yttria ceramics

著者 (2件)： Richard Diego (Departamento de Fisica and Instituto de Fisica La Plata (IFLP, CONICET), Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de La Plata, CC 67, 1900 La Plata, Argentina) ,  Gil Rebaza Arles V. (Departamento de Fisica and Instituto de Fisica La Plata (IFLP, CONICET), Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de La Plata, CC 67, 1900 La Plata, Argentina)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 171  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,純粋な,Cd-,およびTaをドープしたイットリア(Y_2O_3)の構造特性,電子構造,および超微細特性に関する第一原理研究について報告する。それらは,Gauge-Including Projector Augmented Wave(GIPAW)法を用いている。本研究の目的は,不純物サイトにおける電場勾配(EFG)の予測のためのGIPAW法の精度を評価することである。アクセプタ(Cd)またはドナー(Ta)不純物による陽イオン置換によるY_2O_3の局所構造変化を解析し,これらの構造変化が状態密度における不純物レベルの出現を通して電子構造をどのように変化させるかを解析した。さらに,局所構造変化とEFGの変化の間の関係を見出した。入手可能な実験データとの比較から,不純物はそれらのそれぞれの酸化物に類似した局所環境を再構成し,完全にイオン化されると結論した。さらに,本研究では,GIPAW法が,全電子法の代替として,CdとTa不純物サイトでのEFGを正確に計算するのに非常に適していることを示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *タンタル ,  *カドミウム ,  *酸化イットリウム ,  *ドーピング ,  *電場勾配 ,  *不純物 ,  第一原理 ,  アクセプタ ,  *セラミック ,  ドナー ,  電子構造 ,  カチオン ,  再構成
準シソーラス用語： 構造変化 ,  *局所構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GIPAW ,  イットリア ,  局所構造 ,  電場勾配 ,  ドープしたセラミック ,  不純物

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cd ,  Ta ,  不純物 ,  局所構造 ,  電場勾配 ,  研究 ,  ドープ ,  応用