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J-GLOBAL ID：201902252975789442   整理番号：19A2307009

優れた光触媒活性のための接触面の調整による黒鉛状窒化炭素(g-C_3N_4)/銅(I)酸化物(Cu_2O)複合材料のバンド整列の構築【JST・京大機械翻訳】

Constructing the Band Alignment of Graphitic Carbon Nitride (g-C₃N₄)/Copper(I) Oxide (Cu₂O) Composites by Adjusting the Contact Facet for Superior Photocatalytic Activity

著者 (6件)： Han Sancan (School of Materials Science and Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, P. R. China) ,  Hu Xiaoyi (School of Materials Science and Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, P. R. China) ,  Yang Wei (Department of Materials Science, Fudan University, P. R. China) ,  Qian Qingren (School of Materials Science and Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, P. R. China) ,  Fang Xiaosheng (Department of Materials Science, Fudan University, P. R. China) ,  Zhu Yufang (School of Materials Science and Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, P. R. China)
資料名： ACS Applied Energy Materials  (ACS Applied Energy Materials)
巻： 2  号： 3  ページ： 1803-1811  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5032A  ISSN： 2574-0962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の結晶ファセットを有するG-C_3N_4/Cu_2O p-n接合複合材料を,単純な一段階経路によって調製した。それは,{100}ファセットヘテロ接合を有する20%C_3N_4-Cu_2O切断立方体複合材料の分解速度値kが,純粋なCu_2O切断立方体のものより約2.5倍高かった。一方,{111}ファセットヘテロ接合を有する20%C_3N_4-Cu_2O八面体に対するk値は,純粋なCu_2O八面体のそれを約1.9倍超え,タイプIIエネルギー配列を有するp-nヘテロ接合をXPS分析により決定した。20%C_3N_4-Cu_2O八面体複合材料の20%C_3N_4-Cu_2O八面体複合材料(ΔE_CBOに対して0.85eV,ΔE_VBOに対して1.64eV)と比較して,より大きなバンドエネルギーオフセット(ΔE_CBOに対して0.96eV,ΔE_VBOに対して1.73eV)を観察した。より大きいバンドオフセットは,{100}ファセットとC_3N_4によるCu_2O切断立方体間の電子移動のより強い駆動力を意味し,ヘテロ接合のバンドアラインメントはファセット依存性であり,C_3N_4-Cu_2O切断立方体複合材料の電子と正孔の移動に対するより強い駆動力をもたらし,光触媒性能に有益である。本研究は,ファセット依存複合材料の観点から,高効率光触媒の合理的設計のための新しい展望を提供した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  接合 ,  八面体 ,  電子移動 ,  結晶 ,  正孔 ,  駆動力 ,  バンドオフセット ,  *触媒活性 ,  *複合材料 ,  ヘテロ接合 ,  *光触媒 ,  ファセット
準シソーラス用語： 六面体 ,  *光触媒活性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： G-C_3N_4/Cu_2O切断立方体複合材料 ,  C_3N_4-Cu_2O八面体複合材料 ,  p-nヘテロ接合 ,  ファセット依存光活性 ,  バンドオフセット

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (9件)： 光触媒活性 ,  接触面 ,  黒鉛 ,  窒化炭素 ,  銅 ,  酸化物 ,  複合材料 ,  バンド整列 ,  構築