文献

J-GLOBAL ID：201902253123434980   整理番号：19A0528009

パルスレーザ誘起エピタクシーによるパターン化GeSn及びGePb合金の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of patterned GeSn and GePb alloys by pulsed laser induced epitaxy

著者 (6件)： Schlipf J. (Institut fuer Halbleitertechnik (IHT), Universitaet Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569, Germany) ,  Frieiro J. L. (Dpto. Fisica Aplicada, Univ. de Vigo, Rua Maxwell s/n, Campus Universitario Lagoas Marcosende, Spain) ,  Fischer I. A. (Institut fuer Halbleitertechnik (IHT), Universitaet Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569, Germany) ,  Serra C. (C.A.C.T.I., Univ. de Vigo, Rua Maxwell s/n, Campus Universitario Lagoas Marcosende, Spain) ,  Schulze J. (Institut fuer Halbleitertechnik (IHT), Universitaet Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569, Germany) ,  Chiussi S. (Dpto. Fisica Aplicada, Univ. de Vigo, Rua Maxwell s/n, Campus Universitario Lagoas Marcosende, Spain)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MIPRO  ページ： 37-42  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変調器,導波路及び検出器はシリコン素子に集積されているが,レーザ光源は依然として課題のままである。残念ながら,シリコンとゲルマニウムにおいて,間接的なバンド遷移が有利になり,レーザ放出が起こりにくい。重いn型ドーピングまたはSnとの合金化により引張歪を導入することにより,ゲルマニウムにおいて直接バンドギャップ遷移が最近実証された。必要なPb濃度はSnよりはるかに低いと予測されるので,GePb合金は有望な候補であると思われる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 導波路 ,  *パターン形成 ,  変調器 ,  *エピタクシー ,  検出器 ,  ゲルマニウム ,  *鉛 ,  *スズ ,  *レーザ ,  合金化 ,  ケイ素 ,  *パルス
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  引張歪 ,  *レーザ誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス ,  レーザ誘起 ,  エピタクシー ,  パターン化 ,  成長