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J-GLOBAL ID:201902253329834319   整理番号:19A1409626

高紫外線応答性のp-Si/n-ZnOナノチューブヘテロ接合に基づく光検出器【JST・京大機械翻訳】

A Photodetector Based on p-Si/n-ZnO Nanotube Heterojunctions with High Ultraviolet Responsivity
著者 (7件):
資料名:
巻:号: 42  ページ: 37120-37127  発行年: 2017年10月25日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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可視光および赤外光検出器のそれに匹敵する高い応答性を有する増強紫外(UV)光検出器(PD)が,高感度,高応答性を有するUV PDを生成するために,パルスレーザ蒸着(PLD)により成功裏に作製された。暗および照明条件下での素子の電流-電圧特性を測定し,作製したUV PDの高い安定性と応答性(約101.2A W-1に達する)を実証した。時間分解分光法を用いて励起子閉込めを同定し,高いPD性能が光閉込め,高い表面対体積比,NTの高い構造品質,高い光誘起キャリア密度に起因することを示した。著者らのNTベースのPDの優れた検出感度と応答性は,商業的応用のための高性能UV検出デバイスの作製が可能であることを明確に実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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測光と光検出器一般 

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