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J-GLOBAL ID:201902253357272909   整理番号:19A1888848

Rh_2O_3クラスタとWO_3微結晶の間のp-nヘテロ接合によるガス検知特性のナノレベル制御【JST・京大機械翻訳】

Nanolevel Control of Gas Sensing Characteristics via p-n Heterojunction between Rh2O3 Clusters and WO3 Crystallites
著者 (5件):
資料名:
巻: 121  号: 44  ページ: 24701-24706  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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今日,半導体金属酸化物(SMOX)ベースのガスセンサは広い応用分野で使用されている。ドーパント,例えばロジウムは,しばしば,SMOXsのセンサ応答を変化させるために使用される。ドーパントによるセンシング特性の調整は通常経験的に行われており,ドーパントの存在がセンシングの化学をどのように変えるかについての知識ギャップがある。ここでは,X線光電子分光法(XPS),透過型電子顕微鏡(TEM),dc抵抗測定,およびオペランド拡散反射赤外Fourier変換(DRIFT)分光法を用いて,Rh_2O_3による表面負荷がWO_3によるセンシングをどのように変化させるかを理解した。均一な表面負荷の結果として,Rh_2O_3クラスタと分析物ガスの間の反応は,受信を支配する。Rh_2O_3とWO_3の間のp-nヘテロ接合の変化は,変換の原因である。既存の文献と組み合わせたこれらの結果は,制御された表面ドーピングを通して,SMOXsのセンサ特性を意図的に調整することが可能であることを示している。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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貴金属触媒 
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