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J-GLOBAL ID：201902253479610376   整理番号：19A1128561

酸化物-基板界面抵抗の修飾による擬容量マンガン酸化物のNyquistプロット半円の最小化【JST・京大機械翻訳】

Minimizing the Nyquist-plot semi-circle of pseudocapacitive manganese oxides through modification of the oxide-substrate interface resistance

著者 (2件)： Allison A. (Dalhousie University, Department of Chemistry, Halifax, Nova Scotia, B3H 4R2, Canada) ,  Andreas H.A. (Dalhousie University, Department of Chemistry, Halifax, Nova Scotia, B3H 4R2, Canada)
資料名： Journal of Power Sources  (Journal of Power Sources)
巻： 426  ページ： 93-96  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0703B  ISSN： 0378-7753  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マンガン酸化物は電気化学キャパシタ用の有望な擬容量材料であり,電気化学インピーダンス分光法を用いてそれらの静電容量,抵抗および周波数応答を特性化することができる。しばしば,普遍的ではないが,これらの材料のNyquistプロットは半円形の特徴を示し,それは典型的には擬容量性反応の電荷移動抵抗に起因する。しかし,半円形の起源が実際に酸化物-基板界面抵抗であることを初めて示した。界面は酸化マンガンの熱処理と種々の金属(ステンレス鋼と白金)上に酸化マンガンを電着することにより変化させた。さらに,界面上に酸化マンガンの薄層が熱処理されるが,膜のバルクは界面と擬容量応答を分離する。低い界面抵抗(例えば熱処理界面またはPt上に蒸着)を有する膜は,低い界面(熱処理なしのステンレス鋼上に堆積した膜)を有するものより98%小さい半円を示した。逆に,擬静電容量と半円形サイズの間に相関はなかった。このように,Nyquist半円は界面抵抗と関連し,この界面の適切な修正はこの抵抗に関連する性能限界を低減できる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力コンデンサ ,  白金 ,  キャラクタリゼーション ,  ステンレス鋼 ,  蒸着 ,  熱処理 ,  *酸化マンガン ,  電着 ,  静電容量 ,  スペクトロスコピー ,  薄膜 ,  *界面
準シソーラス用語： 電荷移動抵抗 ,  電気化学インピーダンス分光法 ,  電気化学キャパシタ ,  *半円 ,  *界面抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 電気化学キャパシタ ,  スーパーキャパシタ ,  酸化マンガン ,  界面抵抗 ,  電気化学インピーダンス分光法 ,  Nyquistプロット

分類 (1件)： 燃料電池  (YB04040V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化物 ,  界面抵抗 ,  修飾 ,  マンガン酸化物 ,  プロット ,  半円 ,  最小化