文献

J-GLOBAL ID：201902253712210561   整理番号：19A1058465

ジグザグ型ホスホレンナノリボンにおける電子散乱による2不純物エンタングルメント発生【JST・京大機械翻訳】

Two-impurity entanglement generation by electron scattering in zigzag phosphorene nanoribbons

著者 (4件)： Amini M. (Department of Physics, Faculty of Sciences, University of Isfahan, Isfahan, Iran) ,  Soltani M. (Department of Physics, Faculty of Sciences, University of Isfahan, Isfahan, Iran) ,  Ghanbari-Adivi E. (Department of Physics, Faculty of Sciences, University of Isfahan, Isfahan, Iran) ,  Sharbafiun M. (Department of Physics, Faculty of Sciences, University of Isfahan, Isfahan, Iran)
資料名： Quantum information Processing  (Quantum information Processing)
巻： 18  号： 3  ページ： 1-15  発行年： 2019年 
JST資料番号： A1088A  ISSN： 1570-0755  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ジグザグ型ホスホレンナノリボン(zPNR)のエッジ鎖における正味磁気モーメントをもつ二つのオンサイトドープ不純物が,進行するエッジ状態電子の散乱によりもつれることができるかを調べた。この目的のために,第一段階では,一次元強束縛鎖における二つの磁性不純物からの自由進行電子の散乱を研究するために,Lipmann-Schwinger方程式とGreen関数アプローチを用いた。次に,同じ形式に従って,エッジ状態移動電子の散乱に対応するzPNRのエッジ鎖における2つのオンサイトスピン不純物の挙動は,一次元鎖に対して起こるものと非常に類似していることを示した。両事例において,既知の入射波状態を考慮して,最終波状態の反射および透過部分を解析的に評価した。得られた結果を用いて,関連する部分密度行列と反射および透過確率は計算可能である。最終状態における生成されたもつれの測度としての負性を計算し,結果を議論した。著者らの理論モデルは,実際に不純物の状態におけるもつれを作り出すことができる実験的に実行可能な方法を提案した。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 密度行列 ,  一次元 ,  透過率 ,  *不純物 ,  磁性不純物 ,  *折れ線 ,  Green関数 ,  *電子散乱 ,  測度 ,  磁気モーメント
準シソーラス用語： 理論モデル ,  一次元鎖 ,  エッジ状態 ,  *ナノリボン ,  *フォスフォレン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子散乱 ,  不純物 ,  エンタングルメント