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J-GLOBAL ID:201902253940733744   整理番号:19A0511142

2セクションInAs/GaAs量子ドットレーザにおける色分散の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of the Chromatic Dispersion in Two-Section InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers
著者 (5件):
資料名:
巻: 29  号: 24  ページ: 2246-2249  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0721A  ISSN: 1041-1135  CODEN: IPTLEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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1230nm(基底状態)と1160nm(励起状態)で発光するInAs/GaAs量子ドットレーザの分散を,それらのサブ閾値発光スペクトルの解析から測定した。種々の長さの素子からの測定により,群速度分散は2270fs~2mm-1と高く,主にバルクGaAsの分散に起因すると推論した。利得誘起分散は注入電流により約-2fs~2mA~-1mm-1の速度で変化するが,分散に及ぼす可飽和吸収体の効果は無視できることが分かった。これらの結果は,集積分散補償の実装がモード同期領域におけるこれらのレーザのパルス幅を大幅に低減し,これらの素子における光周波数コムの形成の増強をもたらすことを示唆した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体レーザ 
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