文献

J-GLOBAL ID：201902254045405739   整理番号：19A1375103

乱流を用いたCVD法によるMoS₂ナノチューブの合成

著者 (4件)： 後藤真菜美 (北大 工) ,  柳瀬隆 (北大 大学院) ,  長浜太郎 (北大 大学院) ,  島田敏宏 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10p-W323-3  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】二硫化モリブデン(MoS2)は代表的な層状物質であり、カーボンナノチューブ(CNT)と同様に、シートを巻くことによってMoS2ナノチューブ(NT)を作ることができる。NT構造は表面積が大きいため、水素発生反応(Hydrogen Ev...【本文一部表示】

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *ナノチューブ ,  化学合成 ,  *化学蒸着 ,  *乱流 ,  基板 ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  *酸化モリブデン ,  *硫化 ,  ナノワイヤ ,  制限視野回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  構造 ,  化合物半導体 ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  ジグザグ構造

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 乱流 ,  CVD法 ,  MoS2 ,  ナノチューブ