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J-GLOBAL ID：201902254058234453   整理番号：19A1416417

GFETにおけるヒステリシス現象:包括的理論と実験【JST・京大機械翻訳】

Hysteretic phenomena in GFET: Comprehensive theory and experiment

著者 (3件)： Kurchak Anatolii I. (V. Lashkariov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, pr. Nauky 41, 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Morozovska Anna N. (Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, pr. Nauky 46, 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Strikha Maksym V. (V. Lashkariov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, pr. Nauky 41, 03028 Kyiv, Ukraine)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 4  ページ： 044504-044504-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)における汎用ヒステリシス現象の記述のための包括的解析理論を提案した。著者らの理論は,グラフェン自由表面上の外部双極子,グラフェン-基板界面における局在状態,および強誘電体基板から生じる束縛分極電荷のような3つの最も重要なリバル因子の存在を説明する。特に,吸収された双極子分子(例えば,解離または高度に分極した水分子)は,ゲート電圧の関数としてキャリア濃度のヒステリシス形を引き起こし,最も一般的なSiO_2および強誘電体を含む異なるタイプの基板上のGFETにおけるグラフェン伝導率の依存性を引き起こすことを実証した。ゲート電圧掃引速度の増加はSiO_2基板上のGFETに対するヒステリシスの完全な消失と,臨界値E_cより低い印加電場Eに対する強誘電体基板上のGFETをもたらすことを示した。E>E_cでは,反ヒステリシスからヒステリシスへのクロスオーバが起こる。界面状態によるグラフェンチャネルからのキャリア捕獲は,PZT基板上のGFETにおける「反ヒステリシス」を十分に記述する。これらの結果は定量的一致までの利用可能な実験データと良く相関した。したがって,得られた解析結果は,GFETにおける新しい,そして,既存の影響を明らかにすることを予測する。GFET動作の物理原理を定量的に記述し,多用途基板上のGFETを用いた先進的な不揮発性超高速メモリ素子の基本特性を記述するために直接適用できるので,最新技術をほとんど経験的から解析的レベルに変換することができる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  界面 ,  チャネル ,  FET【トランジスタ】 ,  電場 ,  キャリア捕獲 ,  双極子 ,  基板 ,  *ヒステリシス ,  非揮発性 ,  強誘電体 ,  グラフェン
準シソーラス用語： 超高速 ,  印加電圧 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヒステリシス現象 ,  理論 ,  実験