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J-GLOBAL ID:201902254071395371   整理番号:19A1379672

ナノスケール蛇行チタンサーミスタを用いたオンチップ可積分テラヘルツマイクロボロメータアレイの性能改善【JST・京大機械翻訳】

Performance improvement of on-chip integrable terahertz microbolometer arrays using nanoscale meander titanium thermistor
著者 (6件):
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巻: 125  号: 21  ページ: 214502-214502-12  発行年: 2019年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,SiO_2およびSiN_x基板上に,それぞれDW=0.1および0.2μmの設計幅を有するナノスケール蛇行型Tiサーミスタを用いて,非冷却アンテナ結合マイクロボロメータ配列を作製し,テラヘルツ波を検出した。DW=0.1μmのサーミスタを有する各ユニット素子は,最大許容バイアス電流(DW=0.1μmではI_b=50,DW=0.2μmでは100μA)において,DW=0.2μm(386V/W)を有するユニット素子の電気応答性(787V/W)を2倍にした。しかし,DW=0.1μmのサーミスタを持つユニット素子の計算した雑音等価パワー(NEP)は,DW=0.2μmのサーミスタを持つユニット素子に対して,I_b=50μAで1.85×10~10W/Hz,I_b=100μAで1.58×10~10W/Hzであった。したがって,DWの減少はNEPの改善をもたらさなかった。本研究は,デバイスの小型化に関連して,抵抗の温度係数(TCR)と抵抗率のようなデバイスパラメータに及ぼす幅の影響に関する著者らの以前の研究を検証した。より薄い金属相互接続(サーミスタ)におけるより小さい結晶粒サイズは,より低いTCRとデバイスの抵抗率の増加にリンクすることができる。したがって,設計における応答性の増強は,主にナノスケール蛇行設計によるものであったが,デバイスの雑音応答には有害であった。ナノスケールTi蛇行サーミスタを有するこれらのデバイスは,更なる小型化のための範囲を有するユニットデバイスにおいて高い応答性を提供し,オンチップ可積分検出器アレイとしての応用に対して大きな可能性を有する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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光導電素子  ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 

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