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J-GLOBAL ID：201902254197467654   整理番号：19A2302463

Cu_2O(100)の表面構造:欠陥の性質【JST・京大機械翻訳】

The Surface Structure of Cu₂O(100): Nature of Defects

著者 (5件)： Tissot Heloise (Materials and Nano Physics, School of Engineering Sciences, KTH Royal Institute of Technology) ,  Wang Chunlei (Materials and Nano Physics, School of Engineering Sciences, KTH Royal Institute of Technology) ,  Stenlid Joakim Halldin (Department of Physics, Albanova University Center, Stockholm University, Sweden) ,  Brinck Tore (Applied Physical Chemistry, School of Chemical Science and Engineering, KTH Royal Institute of Technology) ,  Weissenrieder Jonas (Materials and Nano Physics, School of Engineering Sciences, KTH Royal Institute of Technology)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 123  号： 13  ページ： 7696-7704  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高真空条件下での(3,0;1,1)再構成により,Cu_2O-(100)表面は最も有利に終端された。ほとんどの酸化物表面として,それは欠陥を示し,それは本研究で注目されているこれらのサイトである。表面欠陥を同定し,それらの特性を調べ,それらの被覆率を正確に制御する手順を,走査型トンネル顕微鏡(STM)と密度汎関数理論(DFT)の枠内でのシミュレーションの組み合わせにより実証した。最も一般的な表面欠陥は酸素空孔と同定された。実験結果,形成エネルギー,およびシミュレーションSTM像の比較により,酸素空格子点の位置が,非摂動表面を終端する酸素原子の2列間の谷に位置する位置Bの酸素空孔として同定された。欠陥の被覆率は表面調製パラメータと試料の履歴に影響される。さらに,低エネルギー電子ビーム照射を用いて,酸素空格子点被覆率を正確に制御でき,表面の周期性を修正することなく完全な表面被覆率(単位セル当たり1個またはnm~2当たり1.8個の欠陥)に到達できることを示した。これは酸化物表面を調べるときに局所プローブを用いることの重要性を強調する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査型トンネル顕微鏡 ,  密度汎関数法 ,  シミュレーション ,  超高真空 ,  空格子点 ,  再構成 ,  *表面構造 ,  電子照射 ,  表面被覆 ,  プローブ ,  被覆率 ,  表面欠陥 ,  摂動
準シソーラス用語： 酸素原子 ,  形成エネルギー ,  酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 表面構造 ,  欠陥 ,  性質