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J-GLOBAL ID：201902254256638928   整理番号：19A1416048

ゲート電圧下の冷却によるグラフェン-オン-SiO_2におけるドーピングの可逆制御【JST・京大機械翻訳】

Reversible control of doping in graphene-on-SiO₂ by cooling under gate-voltage

著者 (2件)： Singh Anil Kumar (Department of Physics, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India) ,  Gupta Anjan Kumar (Department of Physics, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 19  ページ： 195305-195305-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの電子特性はバックゲート以外の種々のドーピング技術により変調できるが,ほとんどの方法は容易に可逆的ではなく,移動度の低下ももたらす。ここでは,バックゲート電圧下での冷却によるグラフェンへのドーピングの可逆的制御について報告する。温度と界面調製法による著者らのデバイスにおけるヒステリシスの観察された変化は,グラフェン/SiO_2界面における酸化還元種の密度の変化,すなわち,H_2OとO_2,およびそれらの拡散に起因する。注意深い界面調製により,室温でヒステリシスが無視できるデバイスを作製し,高温でヒステリシスを利用することにより,ゲート電圧の下で室温に冷却することにより,界面電荷密度とグラフェンドーピングの広い可逆的可同調性を得た。界面欠陥電荷密度を操作することによるグラフェンドーピングのそのような可逆的制御は,グラフェンを用いた新しいデータ蓄積デバイスの作製に役立つ。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  データ蓄積 ,  ヒステリシス ,  *ドーピング ,  移動度 ,  *電圧 ,  高温 ,  *グラフェン ,  酸化還元反応
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  界面欠陥 ,  チューナビリティ ,  *一酸化ケイ素 ,  バックゲート ,  *ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲート電圧 ,  グラフェン ,  ドーピング