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J-GLOBAL ID：201902254304579123   整理番号：19A0859090

ニオブ酸ビスマスマグネシウム薄膜の微細構造と誘電特性に及ぼす界面構造の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of interface structure on microstructure and dielectric properties of bismuth magnesium niobate thin films

著者 (13件)： Dong Helei (School of Instrument and Electronics, North University of China, Tai Yuan, 030051, PR China) ,  Dong Helei (Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, Ministry of Education, North University of China, Tai Yuan, 030051, PR China) ,  Kang Wenfang (School of Instrument and Electronics, North University of China, Tai Yuan, 030051, PR China) ,  Kang Wenfang (Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, Ministry of Education, North University of China, Tai Yuan, 030051, PR China) ,  Tan Qiulin (School of Instrument and Electronics, North University of China, Tai Yuan, 030051, PR China) ,  Tan Qiulin (Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, Ministry of Education, North University of China, Tai Yuan, 030051, PR China) ,  Zhao Lihui (Software School, North University of China, Tai Yuan, 030051, PR China) ,  Tang Jun (School of Instrument and Electronics, North University of China, Tai Yuan, 030051, PR China) ,  Tang Jun (Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, Ministry of Education, North University of China, Tai Yuan, 030051, PR China) ,  Duan Junping (School of Instrument and Electronics, North University of China, Tai Yuan, 030051, PR China) ,  Duan Junping (Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, Ministry of Education, North University of China, Tai Yuan, 030051, PR China) ,  Shi Feng (School of Material Science & Engineering, Shandong University of Science and Technology, Qingdao, 266590, PR China) ,  Xiong Jijun (Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, Ministry of Education, North University of China, Tai Yuan, 030051, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 45  号： 8  ページ： 10056-10062  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニオブ酸ビスマスマグネシウム(Bi_3/2MgNb_3/2O_7,BMN)薄膜を,ゾル-ゲルスピンコーティング法とそれに続く急速熱アニーリング法を用いて,裸のSiO_2/HR-SiとPt/TiO_2/SiO_2/HR-Si基板上に調製した。2種類のBMN膜の結晶構造と調整可能誘電特性に及ぼす界面の影響を調べた。BMN/SiO_2界面構造を有するSiO_2/Si基板上に調製したBMN膜は,より高い配向性とより良い結晶性を有することが判明した。BMN/SiO_2界面構造を有する堆積したBMN薄膜は52.5%の優れた同調性を示したが,BMN/Pt界面構造を有する膜の相対的に小さな可同調性値を示した。これは,膜と基板間の界面状態,電場分布,配向度がBMN薄膜の微細構造と調整可能誘電特性への影響の原因であることを示唆した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ゲル ,  *微細構造 ,  表面準位 ,  RTA【熱処理】 ,  ゾル-ゲル法 ,  *誘電性 ,  スピンコーティング ,  *薄膜 ,  結晶度 ,  結晶構造 ,  *界面
準シソーラス用語： チューナビリティ ,  シリコンウエハ ,  一酸化ケイ素 ,  *界面構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： フィルム ,  ゾル-ゲル法 ,  界面 ,  調整可能な誘電特性

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ニオブ酸 ,  ビスマス ,  マグネシウム ,  薄膜 ,  微細構造 ,  誘電特性 ,  界面構造