文献

J-GLOBAL ID：201902254412215052   整理番号：19A2820157

二次元窒化ホウ素階層ナノ構造:制御可能な合成と超疎水性【JST・京大機械翻訳】

The two-dimensional boron nitride hierarchical nanostructures: Controllable synthesis and superhydrophobicity

著者 (4件)： Abbas Saleem (School of Materials Science and Engineering, Hebei Key laboratory of Boron nitride Micro and Nano Materials, Hebei University of Technology, Tinajin, 3000130, PR China) ,  Abbas Aumber (School of Engineering, Newcastle University, Newcastle upon Tyne, NE1 7RU, United Kingdom) ,  Liu Zhenya (School of Materials Science and Engineering, Hebei Key laboratory of Boron nitride Micro and Nano Materials, Hebei University of Technology, Tinajin, 3000130, PR China) ,  Tang Chengchun (School of Materials Science and Engineering, Hebei Key laboratory of Boron nitride Micro and Nano Materials, Hebei University of Technology, Tinajin, 3000130, PR China)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 240  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状窒化ホウ素材料は,それらの高い機械的強度と化学的不活性のために,超保護被覆と補強材料として使用される。ここでは,反応前駆体としてホウ酸(H_3BO_3)とヘキサメチレンテトラミン(C_6H_12N_4)を用いた容易で効率的なアプローチによる二次元窒化ホウ素(2D-BN)階層ナノ構造の合成について報告する。著者らの発見は,2D階層ナノ構造がBN量子ドットの集合であり,種々の濡れ特性を示すことを示した。BN量子ドットの形状,サイズ,および厚さは,成長パラメータを適切に調整することによって良く制御された。温度と他の反応条件および反応物の比率を変えることによって,BN量子ドットの平均サイズは35nmから5nmまで変化した。155°の接触角をもつ強い超疎水性特性が2D-BNに対して得られた。これらの2D-BNナノ構造は,高温安定性,高い化学的不活性および本質的半導体のような炭素ナノ材料と相反する性質を有し,複合材料および自己洗浄被覆などのナノエレクトロニクス,触媒担体,特に過酷環境および高温での応用に応用できる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 補強材料 ,  濡れ ,  接触角 ,  前駆体 ,  *二次元 ,  複合材料 ,  機械的強度 ,  触媒担体 ,  高温 ,  ホウ酸 ,  *窒化ホウ素 ,  被覆 ,  半導体 ,  量子ドット ,  *ナノ構造

著者キーワード (4件)： 窒化ホウ素 ,  階層的ナノ構造 ,  超疎水性 ,  超疎水性コーティング

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化ホウ素 ,  階層 ,  ナノ構造 ,  超疎水性