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J-GLOBAL ID：201902254538465465   整理番号：19A0659133

化学設計による電気活性ナノ多孔性金属酸化物とカルコゲン化物【JST・京大機械翻訳】

Electroactive Nanoporous Metal Oxides and Chalcogenides by Chemical Design

著者 (11件)： Hendon Christopher H. (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Massachusetts, United States) ,  Hendon Christopher H. (Department of Chemistry, University of Bath, United Kingdom) ,  Butler Keith T. (Department of Chemistry, University of Bath, United Kingdom) ,  Ganose Alex M. (Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, Department of Chemistry, University College London, United Kingdom) ,  Ganose Alex M. (Diamond Light Source Ltd., Diamond House, Harwell Science and Innovation Campus, Oxfordshire, United Kingdom) ,  Roman-Leshkov Yuriy (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Massachusetts, United States) ,  Scanlon David O. (Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, Department of Chemistry, University College London, United Kingdom) ,  Scanlon David O. (Diamond Light Source Ltd., Diamond House, Harwell Science and Innovation Campus, Oxfordshire, United Kingdom) ,  Ozin Geoffrey A. (Department of Chemistry, University of Toronto, Ontario, Canada) ,  Walsh Aron (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, South Korea) ,  Walsh Aron (Department of Materials, Imperial College London, United Kingdom)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 8  ページ： 3663-3670  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 考古型シリカおよびアルミノケイ酸塩ベースのゼオライト型材料は,不均一触媒,ガス分離およびイオン交換における広い範囲の応用のために有名である。それらの組成空間は,ゲルマニウムとスズ硫化物とセレン化物によって例示されるナノ多孔性金属カルコゲン化物を含むように拡張することができる。バルク金属ジカルコゲニドとそれらの2D誘導体の特性との比較により,これらのオープン骨格類似体は,ナノメータボイドを充填した三次元半導体と見なされる。応用は一連の分子サイズと形状識別デバイスに存在する。しかし,ナノ多孔性金属カルコゲナイドの電子構造は何か?ここでは,材料モデリングを用いて,np-MX_2(M=Si,Ge,Sn,Pb,およびX=O,S,Se,Te,Sodalite,LTA,およびアルミニウムクロムホスファート-1構造型)を示す一連のナノ多孔性金属カルコゲナイドの特性を記述した。金属と陰イオンの選択に依存して,それらの特性は,ドーピング,固溶体,および包接(フラーレン,量子ドット,および正孔輸送材料)を通して達成された付加的な修飾を伴う絶縁体から半導体へと調整できる。これらの系は三次元の半導体ナノ化学の新しいブランチの基礎を形成する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アニオン ,  二酸化ケイ素 ,  二次元 ,  硫化物 ,  スズ ,  フラーレン ,  三次元 ,  ドーピング ,  イオン交換 ,  形態 ,  半導体 ,  固溶体 ,  *金属 ,  電子構造 ,  ゲルマニウム

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学 ,  設計 ,  電気活性 ,  多孔性金属酸化物 ,  カルコゲン化物