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J-GLOBAL ID：201902254614846837   整理番号：19A0921381

増強モードInGaAs SchottkyゲートフィンHEMTの閾値電圧変調【JST・京大機械翻訳】

Threshold Voltage Modulation of Enhancement-Mode InGaAs Schottky-Gate Fin-HEMTs

著者 (3件)： Chang Li-Cheng (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Dai Cheng-Jia (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Wu Chao-Hsin (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 40  号： 4  ページ： 534-537  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,フィン型チャネルを形成することにより,InGaAs高電子移動度トランジスタ(HEMT)のしきい値電圧(V_T)を変調する効率的な方法を実証した。ゲート金属はこのフィン形状チャネル上に直接堆積し,従って「SchottkyゲートFin-HEMT」と見なすことができる。この素子は大きな作製安定性と電気特性を示した。2μmのゲート長さのデバイスは,54nmのフィン幅(W_FIN)を有する平面からフィン素子への2.98Vの正のV_Tシフトを示し,W_FINが74nm未満のとき,増強モード動作を達成した。性能は,約100nmの領域までW_FINスケーリングを伴うON-およびOFF-状態の両方に対して強化された。変調機構はサイドゲートの金属-半導体界面におけるバンド曲がりに起因することができ,TCADシミュレーションにより検証され,その結果,トップゲート制御よりもはるかに効率的にキャリアチャネルを枯渇させることができた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *フィン ,  チャネル ,  *HEMT ,  電気特性 ,  シミュレーション ,  *ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： ゲート制御 ,  TCAD ,  バンド曲がり ,  金属-半導体界面 ,  サイドゲート ,  *閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 増強 ,  InGaAs ,  ゲート ,  フィン ,  HEMT ,  閾値電圧 ,  変調