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J-GLOBAL ID：201902254716930785   整理番号：19A0551875

ドープしたカーボンナノチューブにおける交差分極プラズモンの数値研究【JST・京大機械翻訳】

Numerical study of cross-polarized plasmons in doped carbon nanotubes

著者 (1件)： Uryu Seiji (Department of Physical Science and Materials Engineering, Iwate University, 4-3-5 Ueda, Morioka, Iwate 020-8551, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 97  号： 12  ページ： 125420  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドープしたカーボンナノチューブの励起状態を有効質量近似とランダム位相近似で数値的に調べた。金属および半導体ナノチューブの両方に対して,ナノチューブ軸に垂直な光によって励起されたプラズモンは,Fermiエネルギーが2番目の最低伝導帯または2番目に高い価電子帯に達する高いドーピング領域に現れ,一方,それらは存在しない。プラズモンの出現は励起子の消滅,電子と正孔の束縛状態に関係している。プラズモンの励起エネルギーはFermiエネルギーに依存し,典型的には一電子ボルトの次数である。結果は最近の実験結果と良く一致した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  励起子 ,  ランダム位相近似 ,  価電子バンド ,  正孔 ,  束縛状態 ,  伝導バンド ,  *プラズモン ,  励起状態 ,  Fermi準位 ,  励起エネルギー ,  *ナノチューブ
準シソーラス用語： 次数 ,  半導体ナノチューブ ,  有効質量近似 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  カーボンナノチューブ ,  交差分極 ,  プラズモン ,  数値 ,  研究