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J-GLOBAL ID：201902254729308120   整理番号：19A1889134

Si/Ta_3N_5ナノワイヤ光アノードの光電気化学性能に及ぼすナノ構造化の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Nanostructuring on the Photoelectrochemical Performance of Si/Ta₃N₅ Nanowire Photoanodes

著者 (2件)： Narkeviciute Ieva (Department of Chemical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Jaramillo Thomas F. (Department of Chemical Engineering, Stanford University, California, United States)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 49  ページ： 27295-27302  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電気化学的応用における光吸収材料のナノ構造化は,電気化学的に活性な表面積だけでなく入射光吸収を増加させることによって,電荷輸送制限半導体の性能を潜在的に改善することができる。しかし,電極表面積の増加に関連する欠点は,デバイス性能に及ぼす表面再結合の増加効果である。ナノ構造化の正と負の影響の相互作用を理解するために,ナノワイヤ長さを変えることによりこれらの効果を研究し,それによりタンデムコアシェルSi/Ta_3N_5光アノードの光電気化学性能に対する表面積を調べた。異なる長さ,1.2~3.3μmのSi/Ta_3N_5ナノワイヤを,Siナノワイヤが形成され,続いて光学的UV-vis反射率測定,有効電荷キャリア寿命測定,および光電気化学的フェロシアン化物酸化によって特性化した反応性イオンエッチング時間を変えることによって作製した。全体として,ナノワイヤ長が増加すると,より高い表面再結合から生じる有効キャリア寿命の減少により,光起電力が減少することを示した。他方,ナノワイヤが電気化学的に活性な表面積の増加と光反射の減少により,ナノワイヤが長くなるとデバイスの光電流は増加し,ナノワイヤ内の光トラッピングにより吸収が増加した。これらの効果をバランスさせることは,高性能デバイスの開発に重要である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  *ナノ構造 ,  半導体 ,  光起電力 ,  有効電荷 ,  表面積 ,  *ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  光電流 ,  キャリア寿命 ,  酸化 ,  *光電気化学 ,  *電気化学
準シソーラス用語： 表面再結合 ,  *光アノード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ワイヤ ,  光アノード ,  光電気化学 ,  構造化