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J-GLOBAL ID：201902254858052751   整理番号：19A1330831

自然バイアホールを用いた導電性AlNバッファ層の形成とSi基板上の垂直AlGaN Schottkyダイオードの実現【JST・京大機械翻訳】

Formation of conductive AlN buffer layer using spontaneous via-holes and realization of vertical AlGaN Schottky diode on a Si substrate

著者 (2件)： Kurose Noriko (Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, 1-1-1, Noji-higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Aoyagi Yoshinobu (Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, 1-1-1, Noji-higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 125  号： 20  ページ： 205110-205110-10  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上にAlNバッファ層内にn-AlGaNを充填したバイアホールを自発的に形成することにより,導電性AlNエピタキシャル層を実現することに成功した。金属有機化学蒸着とSi表面上のn-AlNの連続的選択成長を用いて,n-AlNバッファ層の結晶成長の初期段階でSi基板に供給された少量のAlから生成したAl-Si合金の形成からビアホールが発生することが分かった。バイアホールはn-AlGaNの連続エピタキシャル成長により導電性n-AlGaNで満たされ,絶縁性n-AlNバッファ層を導電性にした。このn-AlNバッファ層を通る垂直伝導率は,バイアホールのないn-AlNバッファ層と比較して540倍以上増強された。Si基板上にこの導電性n-AlNバッファ層を用いて,Si基板上に初めて垂直n-AlGaN Schottkyダイオードを作製することに成功した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *バッファ層 ,  結晶成長 ,  *ケイ素 ,  *バイアホール ,  エピタクシー ,  *アルミニウム ,  MOCVD ,  *窒化アルミニウム ,  選択成長 ,  *ダイオード ,  *導電性
準シソーラス用語： 伝導率 ,  エピタキシャル層 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： バイアホール ,  導電性 ,  AlN ,  バッファ層 ,  Si基板 ,  垂直 ,  AlGaN ,  Schottkyダイオード