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J-GLOBAL ID：201902254864430474   整理番号：19A0661212

機械的不安定性による層状遷移金属ジカルコゲナイドの規則的および原子的完全フラグメンテーション【JST・京大機械翻訳】

Ordered and Atomically Perfect Fragmentation of Layered Transition Metal Dichalcogenides via Mechanical Instabilities

著者 (17件)： Chen Ming (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Xia Juan (School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Zhou Jiadong (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Zeng Qingsheng (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Li Kaiwei (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Fujisawa Kazunori (Department of Physics and Center for 2-Dimensional and Layered Materials, Pennsylvania State University, Pennsylvania, United States) ,  Fu Wei (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Zhang Ting (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Zhang Jing (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Wang Zhe (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Wang Zhixun (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Jia Xiaoting (Bradley Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Polytechnic Institute and State University, Virginia, United States) ,  Terrones Mauricio (Department of Physics and Center for 2-Dimensional and Layered Materials, Pennsylvania State University, Pennsylvania, United States) ,  Shen Ze Xiang (School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Liu Zheng (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Liu Zheng (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Wei Lei (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 9  ページ： 9191-9199  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連続引張応力を受ける熱可塑性高分子は機械的不安定性の状態を経験し,ネック形成と伝搬をもたらす。強い局所化歪を持つネッキング過程は,最初に脆い高分子材料をロバストで柔軟で配向した形に変換することを可能にする。ここでは,原子的に薄い遷移金属ジカルコゲニド(TMD)のフラグメンテーションを制御するために,ポリマーベースの機械的不安定性を利用した。結晶構造,欠陥含有量,および元の形状にかかわらず,任意の方向において,熱可塑性高分子間にサンドイッチされた原子-薄TMDを正確にフラグメント化するための簡単で汎用性のあるナノ作製ツールを開発した。この方法は,単分子層からバルク結晶までの範囲の厚さをもつ半導体TMDの非常に広いスペクトルに対して働く。また,作製した単層ナノリボンの電気的性質を調べ,このようなMoS_2アレイに基づく電界効果トランジスタに対して約10~6のオン/オフ比を得た。さらに,この物理的フラグメンテーション法により形成された触媒エッジサイトの増加により,得られた単層MoS_2ナノリボンとの改良水素発生反応を実証した。この能力はTMDの極端およびフラグメンテーション力学の基礎研究を強化するだけでなく,TMDベースのデバイスの将来の開発にも影響を与える。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  ロバスト性 ,  スペクトル ,  重合体 ,  *不安定性 ,  結晶構造 ,  単分子層 ,  触媒 ,  単一層 ,  高分子 ,  *フラグメンテーション ,  FET【トランジスタ】 ,  引張応力
準シソーラス用語： ナノリボン ,  局在化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 先進ナノ材料 ,  遷移金属ジカルコゲナイド(TMD) ,  制御フラグメンテーション ,  機械的不安定性 ,  ネッキングプロセス ,  水素発生反応

分類 (1件)： 励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不安定性 ,  層状 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  規則 ,  原子 ,  フラグメンテーション