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J-GLOBAL ID：201902254930290731   整理番号：19A1789791

電位誘起劣化p型単結晶Si太陽電池モジュールにおける過渡キャリア再結合動力学【JST・京大機械翻訳】

Transient carrier recombination dynamics in potential-induced degradation p-type single-crystalline Si photovoltaic modules

著者 (4件)： Aminul Islam Mohammad (Division of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, Ikoma, Nara, 630-0192, Japan) ,  Matsuzaki Hiroyuki (Research Institute for Measurement and Analytical Instrumentation, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Okabayashi Yuusuke (Research Institute for Measurement and Analytical Instrumentation, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Ishikawa Yasuaki (Division of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, Ikoma, Nara, 630-0192, Japan)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 27  号： 8  ページ： 682-692  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,新鮮およびポテンシャル誘起劣化(PID)モジュールに対する過渡拡散反射分光法(TDRS)の減衰プロファイル解析を通して少数キャリアの再結合動力学を調べた。モジュール上の劣化度に関するPID影響領域を,エレクトロルミネセンス(EL)やロックイン熱画像のような従来の方法を用いて最初に局所化した。光発生キャリア密度およびキャリア寿命は,新鮮およびPIDモードにおける光起電力(PV)モジュールにおいて異なった。主な再結合は浅いトラップ状態を介してキャリア遷移を含むことが分かった。しかし,トラップ状態の分布は,Naイオン修飾欠陥により,表面から太陽電池のバルクまで広がった。表面とバルクの近くのキャリア動力学の挙動は,532と1064nmの2つの異なるポンプ波長から推測されるように,非常に異なっていた。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  *太陽電池 ,  波長 ,  *再結合 ,  少数キャリア ,  キャリア寿命 ,  *電位 ,  エレクトロルミネセンス ,  *キャリア再結合 ,  光起電力 ,  熱画像
準シソーラス用語： *結晶シリコン ,  ナトリウムイオン ,  局在化 ,  ロックイン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： キャリア寿命 ,  結晶Si ,  電位誘起劣化 ,  組換え ,  浅い欠陥 ,  過渡拡散反射分光法

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電位 ,  誘起 ,  単結晶Si ,  太陽電池モジュール ,  キャリア再結合 ,  動力学