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J-GLOBAL ID：201902254981339647   整理番号：19A1416030

グラフェンに基づく双曲線メタマテリアルにおける電磁局所状態密度の変調【JST・京大機械翻訳】

Modulation of the electromagnetic local density of states in graphene-based hyperbolic metamaterials

著者 (7件)： Liao Qing-Hua (Department of Physics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Song Chen-Cai (Department of Physics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Wang Tong-Biao (Department of Physics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Zhang De-Jian (Department of Physics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Liu Wen-Xing (Department of Physics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Yu Tian-Bao (Department of Physics, Nanchang University, Nanchang 330031, China) ,  Liu Nian-Hua (Institute for Advanced Study, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 19  ページ： 193101-193101-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有効媒質理論(EMT)を用いてグラフェンと炭化ケイ素(SiC)を交互に積層したグラフェン系双曲メタ材料(HMM)の近接内の電磁局所状態密度(EM-LDOS)を理論的に調べた。グラフェン被覆SiCバルクにおけるそれと比較して,HMMにおける双曲モードの発生のため,EM-LDOSスペクトルにおいて2つの広いバンドが現れた。EM-LDOSはグラフェンの化学ポテンシャルとSiCの厚さによって調整できる。それは伝達マトリックス法(TMM)を用いて正確に計算できる。TMMを用いて得られた結果は,HMMからの距離がSiCの厚さよりも大きい場合にEMTを用いて得られた結果と一致することを示した。SiCの幅が十分に厚いとき,EM-LDOSはグラフェン被覆SiCバルクのそれと等価である。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 被覆 ,  スペクトル ,  有効媒質近似 ,  炭化ケイ素 ,  *グラフェン ,  化学ポテンシャル ,  *双曲線 ,  伝達マトリックス法
準シソーラス用語： *局所状態密度 ,  *メタマテリアル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  双曲線 ,  メタマテリアル ,  局所状態密度 ,  変調