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J-GLOBAL ID：201902254985771047   整理番号：19A2223864

Si中の変形誘起欠陥との室温Ni相互作用:DLTS研究【JST・京大機械翻訳】

Room-Temperature Ni Interaction with Deformation-Induced Defects in Si: A DLTS Study

著者 (5件)： Soltanovich Oleg A. (Institute of Microelectronics Technology RAS, Chernogolovka, 142432, Russia) ,  Orlov Valery I. (Institute of Microelectronics Technology RAS, Chernogolovka, 142432, Russia) ,  Orlov Valery I. (Institute of Solid State Physics RAS, Chernogolovka, 142432, Russia) ,  Yarykin Nikolai (Institute of Microelectronics Technology RAS, Chernogolovka, 142432, Russia) ,  Yakimov Eugene B. (Institute of Microelectronics Technology RAS, Chernogolovka, 142432, Russia)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216  号： 17  ページ： e1900326  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ的に変形したn型Siの深準位(DL)スペクトルと移動性Ni種との相互作用によるその修飾を深準位過渡分光法(DLTS)法により調べた。塑性変形の使用された幾何学は転位自身または転位トレースと関連したDL中心を分離することを可能にし,移動転位によって残された準2D欠陥をもたらす。Ni汚染スラリー中の室温での化学機械研磨は追加のDL中心の出現をもたらすことを示した。新しい中心の主な部分は,転位軌跡とのニッケル相互作用により形成される。著者らの塑性変形試料におけるニッケル関連欠陥のDLTS特性は,ニッケル-ケイ化物析出物に対するものと類似していた。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スペクトル ,  *深準位過渡分光法 ,  幾何学 ,  二次元 ,  *ニッケル ,  *相互作用 ,  化学機械研磨 ,  *ケイ素 ,  ケイ化物 ,  析出物 ,  軌跡 ,  深い準位 ,  プラズマ ,  塑性変形 ,  スラリー

著者キーワード (4件)： 深いレベル ,  転位の痕跡 ,  ニッケル ,  シリコン

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  誘起 ,  欠陥 ,  室温 ,  Ni ,  相互作用 ,  DLTS ,  研究