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J-GLOBAL ID：201902255013707338   整理番号：19A1005035

ディジタル集積回路応用のためのカーボンナノチューブネットワーク膜電界効果トランジスタの性能限界の探索【JST・京大機械翻訳】

Exploring the Performance Limit of Carbon Nanotube Network Film Field-Effect Transistors for Digital Integrated Circuit Applications

著者 (6件)： Zhao Chenyi (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Zhong Donglai (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Han Jie (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Liu Lijun (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Zhang Zhiyong (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Peng Lian-Mao (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing, 100871, China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 29  号： 16  ページ： e1808574  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ(CNT)ネットワーク薄膜電界効果トランジスタ(TFT)は,ディスプレイ駆動またはフレキシブルエレクトロニクスのための低コストで低性能トランジスタと考えられるが,最近,ディジタル集積回路(IC)を構築するために使用されている。しかし,ディジタル応用におけるトランジスタ規格に従って,最適なCNT TFTがどのように達成できるかについての研究に焦点を当てた研究はほとんどない。本研究では,高品質で高純度の溶液由来CNT膜に基づくサブミクロンTFTを作製し,これらのトランジスタのスイッチングオフ特性による潜在的性能制限を調べた。具体的には,サブ閾値スイング(SS)は,チャネル長さの縮小またはTFTのCNT密度の増加により著しく劣化し,CNTのランダム配向分布によるCNT TFTのピーク相互コンダクタンス(g_m)とSS間のトレードオフが実験で観測され,理論シミュレーションで証明された。g_mとSSの間の良く設計されたバランスは,120mVdec-1のSSと150μSμm-1のg_mを有するCNT TFTを構築するために必要であり,供給電圧,V_DD,2.0Vより低いディジタルICにおけるデバイス要件を満たした。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表示装置 ,  *トランジスタ ,  チャネル ,  コンダクタンス ,  薄膜 ,  シミュレーション ,  *カーボンナノチューブ ,  *ネットワーク ,  規格 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ディジタル集積回路 ,  *ディジタル方式 ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  フレキシブルエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： カーボンナノチューブ ,  サブしきい値スイング ,  薄膜電界効果トランジスタ ,  コンダクタンス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： ディジタル集積回路 ,  応用 ,  カーボンナノチューブ ,  電界効果トランジスタ ,  限界 ,  探索