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J-GLOBAL ID：201902255144973008   整理番号：19A0660484

全水分解を促進する人工ヘテロ原子欠陥による黄鉄鉱NiS_2に向けた電子構造再構成【JST・京大機械翻訳】

Electronic Structure Reconfiguration toward Pyrite NiS₂via Engineered Heteroatom Defect Boosting Overall Water Splitting

著者 (9件)： Liu Hengjie (National Synchrotron Radiation Laboratory, CAS Center for Excellence in Nanoscience, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  He Qun (National Synchrotron Radiation Laboratory, CAS Center for Excellence in Nanoscience, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  Jiang Hongliang (National Synchrotron Radiation Laboratory, CAS Center for Excellence in Nanoscience, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  Lin Yunxiang (National Synchrotron Radiation Laboratory, CAS Center for Excellence in Nanoscience, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  Zhang Youkui (National Synchrotron Radiation Laboratory, CAS Center for Excellence in Nanoscience, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  Zhang Youkui (School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Sichuan, China) ,  Habib Muhammad (National Synchrotron Radiation Laboratory, CAS Center for Excellence in Nanoscience, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  Chen Shuangming (National Synchrotron Radiation Laboratory, CAS Center for Excellence in Nanoscience, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  Song Li (National Synchrotron Radiation Laboratory, CAS Center for Excellence in Nanoscience, University of Science and Technology of China, Anhui, China)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 11  ページ： 11574-11583  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全体的な電気化学的水分解に対する高活性で低コストの不均一触媒の開発は非常に望ましいが,依然として課題である。ここでは,水素および酸素発生反応(HERおよびOER)のための二官能電極材料としてバナジウムヘテロ原子をドープした黄鉄鉱NiS_2ナノシートを報告する。注目すべきことに,黄鉄鉱NiS_2の電子構造再構成は,実験的温度依存抵抗率と理論密度汎関数理論計算の両方によって確認された,バナジウム(V)変位欠陥をエンジニアリングすることによって,典型的な半導体特性から金属特性まで観察される。さらに,精巧なX線吸収分光測定により,NiS_2の電子構造再構成はドープしたVからNiサイトへの電子移動において根本的であり,その結果,Niサイトがより多くの電子を得ることを可能にすることを明らかにした。金属VドープNiS_2ナノシートは,1M KOH溶液中での長期安定性を有し,OERに対して約290mV,HERに対して約110mVの過電圧を有する異常な電極触媒性能を示し,これまでの最良の非貴金属二官能性電極触媒の一つを表している。本研究は,よく設計された原子欠陥金属硫化物からの電子構造工学への洞察を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  *電子構造 ,  過電圧 ,  *再構成 ,  温度依存性 ,  バナジウム ,  電極材料 ,  電極触媒 ,  水素 ,  半導体 ,  貴金属 ,  ナノシート ,  *黄鉄鉱
準シソーラス用語： *ヘテロ原子 ,  *水分解 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電子構造 ,  欠陥工学 ,  X線吸収分光法 ,  金属特性 ,  水分解

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  貴金属触媒  (CB06122I) ,  燃料電池  (YB04040V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 水分解 ,  促進 ,  人工 ,  ヘテロ原子 ,  欠陥 ,  黄鉄鉱 ,  電子構造 ,  再構成