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J-GLOBAL ID：201902255146744761   整理番号：19A0513247

マルチレベル3D NANDフラッシュのための低読出し待ち時間書換え符号【JST・京大機械翻訳】

Low Read Latency Rewriting Codes for Multi-Level 3-D NAND Flash

著者 (4件)： Qin Minghai (Western Digital Corporation Research, Milpitas, CA, USA) ,  Mateescu Robert (Western Digital Corporation Research, Milpitas, CA, USA) ,  Sun Chao (Western Digital Corporation Research, Milpitas, CA, USA) ,  Bandic Zvonimir (Western Digital Corporation Research, Milpitas, CA, USA)
資料名： IEEE Communications Letters  (IEEE Communications Letters)
巻： 21  号： 7  ページ： 1477-1480  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0941A  ISSN： 1089-7798  CODEN： ICLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 書換え符号はNANDフラッシュの寿命容量を改善できる。NANDフラッシュに対するすべての既存のq-ary書換え符号は,正確なセルレベルが復号器として知られており,その結果,現在のNAND技術は物理ページを論理ページに分割することにより低待ち時間ページ読取を可能にし,ページ当たりの平均数はq-1/logである。著者らは,マルチレベルNANDフラッシュメモリのための低待ち時間ページ読取を可能にする2書換え書き換え符号を考察した。著者らは,17%の容量改善を可能にし,4レベルの多重レベルのセルに対して1ページ当たり1.5読取を維持できる低読出し待ち時間書換えコードを設計した。また,8レベルの三重レベルのセルに対する符号を設計し,ページ当たり2と2.5の読み取りでそれぞれ11%と24%の容量改善を可能にした。二値データを物理的セルレベルに写像する現在のNAND技術における同じGrayコードを適用して,チップ内のハードウェアと回路を再設計することを避けた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *三次元 ,  ハードウェア ,  復号器 ,  多重化 ,  *待ち時間 ,  再設計
準シソーラス用語： Gray符号 ,  NANDフラッシュ ,  *読出し ,  *NAND ,  *マルチレベル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (7件)： マルチレベル ,  3D ,  NANDフラッシュ ,  読出し ,  待ち時間 ,  書換え ,  符号