文献

J-GLOBAL ID：201902255173622056   整理番号：19A1054963

GaN/InGaN量子井戸におけるキャリア不均衡問題のための低減ABCモデル【JST・京大機械翻訳】

A reduced ABC model for the carrier imbalance problem in GaN/InGaN quantum wells

著者 (3件)： Salis M. (Dipartimento di Fisica, Universita degli Studi di Cagliari, Monserrato Cagliari, Italy) ,  Ricci P. C. (Dipartimento di Fisica, Universita degli Studi di Cagliari, Monserrato Cagliari, Italy) ,  Carbonaro C. M. (Dipartimento di Fisica, Universita degli Studi di Cagliari, Monserrato Cagliari, Italy)
資料名： Applied Physics. B. Lasers and Optics  (Applied Physics. B. Lasers and Optics)
巻： 125  号： 3  ページ： 1-7  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0501B  ISSN： 0946-2171  CODEN： APBOEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/InGaN量子井戸におけるキャリア不均衡問題を扱うABCモデルの低減を提案した。適切な有効キャリア密度の定義の後,バンドからバンドへの再結合速度は,1つの確率係数だけを用いて表現でき,したがって,効率の損失なしでモデルの自由パラメータを減少させることができることを示した。反対に,還元モデルは,高電流領域でのキャリア密度のより効率的な記述を可能にし,[数式:原文を参照]としての電流密度の大きな範囲でキャリア寿命を表す。さらに,文献で利用可能な実験データをチェックすることにより,縮小モデルがABCモデルに比べて内部量子効率低下曲線対電流密度のより良い整合を可能にし,より洗練されたパッケージベースモデルと同等であることを示した。Copyright 2019 Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流密度 ,  キャリア密度 ,  *量子井戸 ,  *窒化ガリウム ,  キャリア寿命
準シソーラス用語： 内部量子効率 ,  大電流 ,  再結合速度 ,  *不均衡 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  InGaN ,  量子井戸 ,  キャリア ,  均衡 ,  問題 ,  ABC ,  モデル