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J-GLOBAL ID:201902255555382315   整理番号:19A1415414

多重InGaN/GaN QW構造における励起子ルミネセンス効率とQW数の間の相関について【JST・京大機械翻訳】

On the correlations between the excitonic luminescence efficiency and the QW numbers in multiple InGaN/GaN QW structure
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巻: 121  号: 21  ページ: 214505-214505-8  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,異なる数のQWを持つInGaN/GaN多重量子井戸(QW)構造で得られたルミネセンス結果を比較した。構造は,粒子侵入深さをカバーする大きなQW数が必要であり,高速ルミネセンス応答を必要とするシンチレーション応用のために設計されている。高速励起子QW発光の強度を増加させ,QW欠陥バンドのルミネセンスを減少させるために特別な注意を払った。これは,より遅いルミネセンス応答をもち,高速シンチレータ応用には望ましくない。QW中のIn含有量の増加が欠陥バンドルミネセンスを抑制し,QW成長速度を減少させると励起子ルミネセンスの光ルミネセンス(PL)強度が増加することを見出した。InGaNの数の増加はInGaN QWのPL特性をさらに改善することも示した。光ルミネセンスと陰極線ルミネセンス特性を比較し議論した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体のルミネセンス 
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