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J-GLOBAL ID：201902255654321943   整理番号：19A0511547

大収集面積硬X線遷移端センサ用の厚い電気めっきビスマス吸収体の開発【JST・京大機械翻訳】

Development of Thick Electroplated Bismuth Absorbers for Large Collection Area Hard X-ray Transition Edge Sensors

著者 (8件)： Gades Lisa M. (Argonne National Laboratory, Argonne, IL, USA) ,  Cecil Thomas W. (Argonne National Laboratory, Argonne, IL, USA) ,  Divan Ralu (Argonne National Laboratory, Argonne, IL, USA) ,  Schmidt Dan R. (National Institute of Standards and Technology, Boulder, CO, USA) ,  Ullom Joel N. (National Institute of Standards and Technology, Boulder, CO, USA) ,  Madden Timothy J. (Argonne National Laboratory, Argonne, IL, USA) ,  Yan Daikang (Northwestern University, Evanston, IL, USA) ,  Miceli Antonino (Argonne National Laboratory, Argonne, IL, USA)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.2101105.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移端センサ(TES)は,固体X線分光計に対して最も高い分解能のいくつかを提供する。20keVまでのエネルギー範囲に対して,硬X線シンクロトロン光源で使用するためのTES検出器を開発した。TES分解能は熱容量の平方根と逆比例するので,小さな熱容量と大きなX線阻止能の両方を持つ吸収体を持つことが重要である。これらの基準を満たすために電気めっきビスマス(Bi)吸収体を開発した。Biは金より20keVでより小さいX線吸収を有するが,比熱は2桁小さく,全素子比熱を著しく増加させることなくより大きな収集面積(1mm~2まで)を可能にした。しかし,その低い熱伝導率のために,Bi吸収体はより長い熱化時間を持つ可能性がある。また,いくつかの蒸発Bi吸収体は,X線蛍光顕微鏡のためのX線線形状分析を妨げ,微量金属の最小検出限界を増加させる低エネルギー尾部をもつスペクトルを生成する可能性がある。Bi吸収体の粒径,残留抵抗比および均一性に及ぼすめっき電流密度,撹拌,膜厚およびシード層の厚さの影響を調べた。さらに,電気めっきの成功に重要な処理の考慮について議論する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流密度 ,  *X線 ,  粒径 ,  分解能 ,  シンクロトロン ,  *電気めっき ,  蒸発 ,  膜厚 ,  *吸収体 ,  *めっき ,  *硬X線 ,  金 ,  スペクトル ,  検出限界 ,  *ビスマス

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： 収集 ,  面積 ,  硬X線 ,  遷移端センサ ,  電気めっき ,  ビスマス ,  吸収体 ,  開発