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J-GLOBAL ID：201902255730739858   整理番号：19A2456891

100°Cで作製した高性能非晶質シリコン薄膜太陽電池:柔軟なビルディング統合太陽光発電に向けて【JST・京大機械翻訳】

High-Performance Amorphous Silicon Thin Film Solar Cells Prepared at 100 °C: Toward Flexible Building-Integrated Photovoltaics

著者 (3件)： Kang Dong-Won (School of Energy Systems Engineering, Chung-Ang University, Seoul, Republic of Korea) ,  Ryu Jun (School of Energy Systems Engineering, Chung-Ang University, Seoul, Republic of Korea) ,  Konagai Makoto (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Tokyo, Japan)
資料名： Electronic Materials Letters  (Electronic Materials Letters)
巻： 15  号： 5  ページ： 623-629  発行年： 2019年 
JST資料番号： W4309A  ISSN： 1738-8090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 柔軟な構成集積太陽電池(BIPV)モジュールにおける低コストで軽量の高分子/プラスチック基板のためには,低温処理が不可欠である。非晶質シリコン(a-Si:H)は,プラズマ増強化学蒸着により200~250°Cの温度での処理を必要とし,満足な光電子特性を得ることができ,これは熱収支の観点からそのような基板を制限する。本研究は,比較的低温(100°C)でのp-i-n型a-Si:H太陽電池の作製に焦点を当てた。大きな光学ギャップ(1.83eV)を有する真性a-Si:H膜を高水素希釈比を用いて100°Cで調製した。さらに,ドーパントB_2H_6またはPH_3とCO_2を含むガス混合物を用いて,100°Cで,大きな光学ギャップと適切な伝導率を有するp型非晶質酸化ケイ素とn型微結晶酸化ケイ素膜を調製した。最後に,a-Si:H p-i-nセルを100°Cで作製した。それは9.0%の優れた電力変換効率を示し,それは100°Cで調製したa-Si:H薄膜光起電力に対して報告されたものより高かった。本研究は,高性能で柔軟なBIPVsの開発のための有望な経路を開くと信じる。Copyright 2019 The Korean Institute of Metals and Materials Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *太陽電池 ,  プラズマCVD ,  低温 ,  微結晶 ,  *非晶質 ,  薄膜成長 ,  *薄膜 ,  水素 ,  光学ギャップ ,  基板 ,  希釈 ,  酸化ケイ素 ,  ドーパント
準シソーラス用語： a-Si:H ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 非晶質シリコン ,  低温 ,  薄膜 ,  太陽電池 ,  化学蒸着

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 作製 ,  高性能 ,  非晶質シリコン ,  薄膜太陽電池 ,  ビルディング ,  統合 ,  太陽光発電