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J-GLOBAL ID：201902255751830987   整理番号：19A0593170

ハフニウム堆積膜とSi(100)基板間の界面における初期シリコン酸化に及ぼすハフニウム化学状態差の影響

Influence of hafnium chemical state difference on initial silicon oxidation at interface between hafnium deposition and Si(100) Substrate

著者 (5件)： KAKIUCHI Takuhiro (Ehime Univ.) ,  YAMASAKI Hideki (Ehime Univ.) ,  TSUKADA Chie (Japan Atomic Energy Agency) ,  TSUKADA Chie (Nagoya Univ.) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Agency)
資料名： 日本表面真空学会学術講演会講演要旨集  (日本表面真空学会学術講演会要旨集)
巻： 2018  ページ： 47  発行年： 2018年11月19日 
JST資料番号： L1308B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ハフニウム ,  金属薄膜 ,  *ウエハ【IC】 ,  界面 ,  *酸化 ,  *状態 ,  軌道 ,  X線光電子分光法 ,  初期反応
準シソーラス用語： *ケイ素基板 ,  *化学状態 ,  原子軌道 ,  XPS法

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  反応操作(単位反応)  (XE01040I)

タイトルに関連する用語 (8件)： ハフニウム ,  堆積 ,  Si ,  界面 ,  初期 ,  シリコン ,  酸化 ,  化学状態