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J-GLOBAL ID:201902255791975569   整理番号:19A2110969

10THz領域における放射の増幅と発生のための極性材料から作られたナノスケールバリスティックダイオード【JST・京大機械翻訳】

Nanoscale ballistic diodes made of polar materials for amplification and generation of radiation in the 10 THz-range
著者 (4件):
資料名:
巻: 126  号:ページ: 085708-085708-9  発行年: 2019年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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極性半導体からなるナノスケールn+-i-n+ダイオードの超高周波電気特性を調べた。計算により,格子の光振動と弾道電子の間の結合が強く変化し,飛行時間効果を増強し,再歪周波数範囲におけるダイオードインピーダンスの狭い共鳴を生じることを示した。特に,負の動的抵抗は光学フォノン周波数に近い近傍で誘起される。ナノスケールGaAsとInPダイオードの動的抵抗における共鳴効果を詳細に研究した。負の動的抵抗効果の得られた大きさは,ナノスケールダイオードが電気ポンピング下で遠赤外スペクトル範囲で電磁放射を発生できることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
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金属の電子伝導一般  ,  非金属化合物に見られる電子伝導  ,  光伝導,光起電力  ,  金属結晶の電子伝導  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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