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J-GLOBAL ID：201902255820428246   整理番号：19A0513087

LTG-GaAs薄膜光伝導アンテナのテラヘルツ波特性評価【JST・京大機械翻訳】

Terahertz-Wave Characterization of LTG-GaAs Thin-Film Photoconductive Antenna

著者 (4件)： Rios Ruben Dario Velasquez (Graduate Center, City University of New York, New York, NY, USA) ,  Bikorimana Simeon (City College of New York, City University of New York, New York, NY, USA) ,  Dorsinville Roger (City College of New York, City University of New York, New York, NY, USA) ,  Seo Sang-Woo (City College of New York, City University of New York, New York, NY, USA)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 4  ページ： ROMBUNNO.8500708.1-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温成長(LTG)ガリウム化ガリウム(GaAs)薄膜ベース光導電性アンテナ(PCAs)を作製し,それらのテラヘルツ(THz)性能を従来のバルクLTG-GaAs PCAsと比較した。LTG-GaAs薄膜ベースのPCAsを作製するために,LTG-GaAs薄膜をそれらの半絶縁性(SI)-GaAs基板から分離し,シリコン(Si)基板上に熱成長させた二酸化ケイ素(SiO_2)層上にパターン化された結合PCA電極チップ上に集積した。通常のバルクLTG-GaAs PCAsは,通常のバルクLTG-GaAs材料の表面上に直接フォトリソグラフィーとメタライゼーションにより作製される。各励起PCAエミッタから放射されるTHz波は,入射光ポンプパワー定数を10mWに維持する印加バイアス電圧の変化により特性化される。LTG-GaAs薄膜ベースのPCAからのピークTHz放射信号は,同じバイアス電圧と光ポンプレーザビーム条件をもつ従来のバルクLTG-GaAs PCA構造から得られたものより高いことが観察された。性能差を数値シミュレーションを用いて解析した。ユニークな集積構造に基づいて,LTG-GaAs薄膜ベースのPCAsはTHz放射を改善する可能性があり,不均一集積THzシステムを可能にする。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *薄膜 ,  パターン形成 ,  メタライゼーション ,  基板 ,  *キャラクタリゼーション ,  フォトリソグラフィー ,  二酸化ケイ素 ,  薄膜成長 ,  *テラヘルツ波 ,  電極チップ ,  励起
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  テラヘルツ放射 ,  バイアス電圧 ,  印加電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  薄膜 ,  光伝導アンテナ ,  テラヘルツ波 ,  特性評価