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J-GLOBAL ID：201902255949526496   整理番号：19A1039487

La3+イオンをドープしたSrBi_2Nb_2O_9強誘電体材料の光触媒挙動に及ぼす欠陥の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of defects on the photocatalytic behavior of La³⁺ ions doped SrBi₂Nb₂O₉ ferroelectric materials

著者 (9件)： Lou Qiwei (Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Zeng Jiangtao (Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Zheng Liaoying (Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Man Zhenyong (Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Wang Wenzhong (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China) ,  Kassiba Abdelhadi (Institute of Molecules and Materials, UMR6283-CNRS, Le Mans University, Le Mans 72000, France) ,  Park Chul Hong (Department of Physics Education, Pusan National University, Gumjung, Pusan 46241, South Korea) ,  Politova E. D. (Karpov Institute of Physical Chemistry, Vorontsovo Pole, 10, 105064 Moscow, Russia) ,  Li Guorong (Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Road, Shanghai 200050, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 125  号： 15  ページ： 154101-154101-10  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrBi_2-xLa_xNb_2O_9強誘電体粉末とセラミックを固相反応法によって合成し,光触媒効率に及ぼすLa3+イオンドーピングの影響を研究した。低いドーピング速度x(x≦0.02)では,漏れ電流は減少するが,光電流と光触媒効率はxと共に増加する。これはO空孔の減少と自発分極の増加に起因する。より高いドーピング速度x(x>0.02)に対して,漏れ電流はドナー様La_Sr+状態の形成によりxと共に増加したが,La_3+イオンドーピングにより自発分極は連続的に増加したが,光電流と光触媒効率はLa_Sr+による散乱速度の増加によりxと共に減少した。これらの効果は,La_Sr+不純物状態のような欠陥がキャリア輸送と光触媒作用に対してより重要な役割を果たすことを示している。著者らの最良の知識に対して,強誘電体材料の光触媒効率に及ぼす欠陥の影響を解明し,本論文の結果は,高い光触媒性能を有する新しい強誘電体の探索に光を当てた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： セラミック ,  効果 ,  固相反応 ,  漏れ電流 ,  不純物準位 ,  光触媒反応 ,  ドナー ,  *光触媒 ,  *ドーピング ,  粉体 ,  *強誘電体 ,  自発分極 ,  光電流
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  *強誘電体材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン ,  ドープ ,  強誘電体材料 ,  光触媒 ,  挙動 ,  欠陥