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J-GLOBAL ID：201902255970211222   整理番号：19A0001643

GeTe/Sb2Te3界面相変化メモリにおける電界効果

Electric Field Effects in GeTe/Sb2Te3 interfacial phase change memory
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著者 (7件)：
FONS Paul

FONS Paul について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN について

, 
FONS Paul

FONS Paul について

(Japan Synchrotron Radiation Res. Inst.(JASRI), Hyogo, JPN)

Japan Synchrotron Radiation Res. Inst.(JASRI), Hyogo, JPN について

, 
KOLOBOV Alexander V.

KOLOBOV Alexander V. について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN について

, 
SAITO Yuta

SAITO Yuta について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN について

, 
MITROFANOV Kirill V.

MITROFANOV Kirill V. について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN について

, 
MAKINO Kotaro

MAKINO Kotaro について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN について

, 
TOMINAGA Junji

TOMINAGA Junji について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN について


資料名：
Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science  (Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science)

Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science について


巻： 30th  ページ： 28-31  発行年： 2018年 
JST資料番号： L1450A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ゲルマニウム化合物

ゲルマニウム化合物 について

, 
テルル化物

テルル化物 について

, 
*相転移

相転移 について

, 
*不揮発性メモリ

不揮発性メモリ について

, 
電場効果

電場効果 について

, 
界面

界面 について

, 
ヘテロ接合

ヘテロ接合 について

, 
アンチモン化合物

アンチモン化合物 について

, 
密度汎関数法

密度汎関数法 について

, 
電位分布

電位分布 について

, 
電磁場解析

電磁場解析 について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*GeTe

GeTe について

, 
テルル化アンチモン

テルル化アンチモン について

, 
ヘテロ界面

ヘテロ界面 について

, 
*相変化メモリ

相変化メモリ について


分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

,  固相転移 
(BL04020G)

固相転移 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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GeTe

GeTe について

, 
界面

界面 について

, 
相変化メモリ

相変化メモリ について

, 
電界効果

電界効果 について


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