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J-GLOBAL ID：201902256015617323   整理番号：19A2184639

自己ドープ[数式:原文を参照]超伝導体における不均一電荷分布【JST・京大機械翻訳】

Inhomogeneous charge distribution in a self-doped [Formula : see text] superconductor

著者 (16件)： Sugimoto T. (Department of Complexity Science and Engineering, University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha 277-8561, Japan) ,  Sugimoto T. (Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha 277-8561, Japan) ,  Sugimoto T. (Dipartimento di Fisica, Universita di Roma “La Sapienza,” Piazzale Aldo Moro 2, 00185 Roma, Italy) ,  Paris E. (Dipartimento di Fisica, Universita di Roma “La Sapienza,” Piazzale Aldo Moro 2, 00185 Roma, Italy) ,  Paris E. (Swiss Light Source, Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen PSI, Switzerland) ,  Terashima K. (Research Institute for Interdisciplinary Science(RIIS), Okayama University, Okayama 700-8530, Japan) ,  Barinov A. (Elettra, Sincrotrone Trieste, Strada Statale 14, Km 163.5, Basovizza, 34149 Trieste, Italy) ,  Giampietri A. (Elettra, Sincrotrone Trieste, Strada Statale 14, Km 163.5, Basovizza, 34149 Trieste, Italy) ,  Wakita T. (Research Institute for Interdisciplinary Science(RIIS), Okayama University, Okayama 700-8530, Japan) ,  Yokoya T. (Research Institute for Interdisciplinary Science(RIIS), Okayama University, Okayama 700-8530, Japan) ,  Kajitani J. (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Hachioji 192-0397, Japan) ,  Higashinaka R. (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Hachioji 192-0397, Japan) ,  Matsuda T. D. (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Hachioji 192-0397, Japan) ,  Aoki Y. (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Hachioji 192-0397, Japan) ,  Mizokawa T. (Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Saini N. L. (Dipartimento di Fisica, Universita di Roma “La Sapienza,” Piazzale Aldo Moro 2, 00185 Roma, Italy)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 100  号： 6  ページ： 064520  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 混合原子価Euを有する化学量論的[数式:原文を参照]はEuからBiへの電荷移動により低温で自己ドープ超伝導を示す。[数式:原文を参照]層の金属/非金属双安定性はEuの原子価ゆらぎと結合し,非常に敏感な電子状態を与える。ここでは,メゾスコピックな長さスケールにおける金属相と非金属相の共存による不均一な電荷分布を明らかにする[数式:原文を参照]に関する空間分解光電子放出測定を報告する。サブミクロンのビームサイズを用いた角度分解光電子放出測定により,ドープした系で典型的に観測される金属領域のゾーン境界周辺の明瞭なFermi面が確認されたが,非金属領域ではほとんど見られなかった。密度汎関数理論計算は,構造中の面外S原子位置がこの材料の自己ドーピングに対する重要な因子の一つであることを示唆した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  光電子放出 ,  混合原子価 ,  電子状態 ,  *超伝導 ,  *超伝導体 ,  化学量論 ,  ユウロピウム ,  ビスマス ,  金属 ,  *電荷分布 ,  電荷移動 ,  Fermi面 ,  低温
準シソーラス用語： 非金属 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己 ,  ドープ ,  数式 ,  参照 ,  不均一 ,  電荷分布