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J-GLOBAL ID:201902256221388548   整理番号:19A2114618

ギャップ以下の励起光を照射することによるUV-LEDにおける無放射再結合準位の検出【JST・京大機械翻訳】

Detection of Nonradiative Recombination Levels in UV-LEDs by Irradiating Below-Gap Excitation Light
著者 (5件):
資料名:
巻: 2019  号: CSW  ページ:発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高キャリア密度領域でのLED性能と低励起条件での光ルミネセンス(PL)特性化を結びつけることは重要である。電流駆動UV-LEDにおける無放射再結合(NRR)中心をEL強度変化により検出し,バンドギャップ励起(BGE)光がLEDを照射すると電流が増加した。回路的考察に基づいて,定電流条件下でのEL強度変化と定電圧条件下での電流増加は,NRR中心の有効な指標であることが分かった。後者は,低密度領域における前者との密接な対応に加えて,400mAまでの駆動電流の増加とともに増加した。著者らは,電流増加が,より広い範囲のキャリア密度におけるNRR中心の寄与をトレースするために利用できると考える。EL強度変化と電流増加のBGEエネルギー依存性は,UV-LEDにおけるNRR中心の直接的な手掛かりを与え,材料とプロセスの最適化に利用できる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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