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J-GLOBAL ID:201902256297600077   整理番号:19A1410228

ヘマタイト光アノードにおける電荷輸送を促進する犠牲中間層【JST・京大機械翻訳】

Sacrificial Interlayer for Promoting Charge Transport in Hematite Photoanode
著者 (22件):
資料名:
巻:号: 49  ページ: 42723-42733  発行年: 2017年12月13日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半導体/電解質界面は光電気化学(PEC)水分解デバイスにおいて光電極の熱力学的及び速度論的特性の両方を決定するので重要な役割を果たす。界面エンジニアリングはデバイス性能改善の中心である。モデル系として安価で安定なヘマタイト(α-Fe_2O_3)ワーム様ナノ構造光アノードを用いて,バルク半導体内の光生成電荷キャリアの分離と半導体-電解質界面を横切る正孔の移動の両方を含む,光電流開始ポテンシャルの結晶格子へのTiドーピングを実現するための容易な犠牲中間層アプローチを設計した。著者らの研究は,半導体/電解質界面工学機構の理解が有益な方法で種々の戦略を調整するために重要であることを示し,この簡単で費用対効果の高い方法は,効率的で拡張可能な太陽エネルギー変換を目的とする他のシステムに一般化できる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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電気化学反応 

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