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J-GLOBAL ID：201902256383118122   整理番号：19A2367248

単層Janus型白金ジカルコゲナイドとそれらのヘテロ構造【JST・京大機械翻訳】

Single-Layer Janus-Type Platinum Dichalcogenides and Their Heterostructures

著者 (5件)： Kahraman Z. (Department of Photonics, Izmir Institute of Technology) ,  Kandemir A. (Department of Materials Science and Engineering, Izmir Institute of Technology) ,  Yagmurcukardes M. (Department of Physics, University of Antwerp, Belgium) ,  Sahin H. (Department of Photonics, Izmir Institute of Technology) ,  Sahin H. (ICTP-ECAR Eurasian Center for Advanced Research, Izmir Institute of Technology)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 123  号： 7  ページ： 4549-4557  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最先端の密度汎関数理論計算を行うことにより,反対表面で二つの異なる原子により形成された超薄二次元Janus型白金二カルコゲン化物結晶を調べた。最初に,単層PtX_2構造(X=S,Se,またはTe)が動的に安定な1T相に結晶化し,間接バンドギャップ半導体であることを示した。また,すべてのPtX_2構造における置換カルコゲンドーピングは,より小さなカルコゲン原子による表面原子の置換により有利であり,そのような過程は,新しい単層結晶であるJanus型白金二カルコゲン化物(XPtY,S,Se,またはTeに対するXとYのスタンド)の形成をもたらすことが分かった。全てのJanus構造はそれらの二元類似体として間接バンドギャップ半導体であるが,それらのRamanスペクトルは破壊面外対称性に由来する特徴的な特徴を示す。さらに,Janus結晶の構築は,面内および面外方向の両方において,PtX_2結晶の圧電定数を著しく高めることが明らかになった。さらに,二元及び三元(Janus)白金二カルコゲン化物の垂直積層van der Waalsヘテロ構造は,それぞれI型,II型及びIII型の二層ヘテロ接合を形成することにより広範囲の電子的特徴を提供することを示した。著者らの発見は,Janus型極薄白金二カルコゲン化物結晶がオプトエレクトロニクス素子応用のための非常に有望な材料であることを明らかにした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： テルル ,  カルコゲン化物 ,  酸素族元素 ,  半導体 ,  *単一層 ,  対称性 ,  Ramanスペクトル ,  ヘテロ接合 ,  結晶 ,  類似物質 ,  結晶化 ,  二次元
準シソーラス用語： 二層 ,  間接バンドギャップ ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単層 ,  白金 ,  ヘテロ構造