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J-GLOBAL ID:201902256506485082   整理番号:19A1416013

低エネルギー陽電子消滅と偏光解析ポロシメトリーにより明らかにされたシリカPECVD膜のナノ多孔性に及ぼす熱処理の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of heat treatment on the nanoporosity of silica PECVD films elucidated by low-energy positron annihilation and ellipsometric porosimetry
著者 (6件):
資料名:
巻: 122  号: 18  ページ: 185304-185304-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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オルトケイ酸テトラエチルの異なる流速によるプラズマ増強化学蒸着により調製したシリカ薄膜のナノ多孔性を,蒸気吸着偏光解析法(EP)とパルス化低エネルギー陽電子消滅寿命分光法(PALS)により調べた。サブナノスケール細孔構造に及ぼす熱処理の影響は,EPとPALSから得られた気孔率と細孔寸法の変化を介して観察された。26°Cでのメタノール(MeOH)吸着等温線から明らかにされた堆積したままの膜の開放気孔率は5%までの範囲であることが分かった。アニーリング後,開放気孔率はほとんどゼロに減少したが,膜の全空隙率は著しく変化しなかった。これは,膜表面近くの細孔を結合するボトルネックが熱処理により発達し,そのため,これらのボトルネックがMeOH分子を開放細孔へ拡散させることを妨げることを示唆した。一方,PALSの結果は,膜のサブナノスケール細孔が熱処理と共に拡大することを示した。結果として,オルト-ポジトロニウムの寿命から評価したそれらのサイズは,半径が0.31nmから0.37nmの範囲であった。EPとPALSからのこれらの結果は,熱処理がシリカ膜のナノ多孔性に関して構造的不均一性を強化することを意味した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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比熱・熱伝導一般 

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