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J-GLOBAL ID：201902256528200749   整理番号：19A2404838

バイオセンサとしてのナノワイヤ再構成可能FET 誘電変調法に基づく【JST・京大機械翻訳】

Nanowire reconfigurable FET as biosensor: Based on dielectric modulation approach

著者 (3件)： Saha Priyanka (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Jadavpur University, Kolkata 700032, India) ,  Kumar Dash Dinesh (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Jadavpur University, Kolkata 700032, India) ,  Kumar Sarkar Subir (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Jadavpur University, Kolkata 700032, India)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 161  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,誘電変調法に基づいて生体分子を検出するためのバイオセンサとして作用するナノワイヤ再構成可能電界効果トランジスタ(FET)の解析的表面電位と閾値電圧モデルを開発した。その再構成可能な挙動により,バイアスの極性に依存してp型とn型の両方として作用し,したがって,プログラマブル論理アレイ(PLAs)の分野で広い広がり応用を見出した。ここでは,接着層として二酸化ケイ素の薄い層上への生体分子固定化のための分割ゲートと空洞を有するバイオセンサデバイスとして,同じものを用いた。バイオセンサが空洞のバイオターゲットと相互作用するとき,電位分布としきい値電圧シフトの変化を含むデバイスの静電特性は影響を受け,従って本研究の検出基準として同定された。バイオセンサの特徴的な傾向を,印加バイアス変化の極性としてのバイオ種の高さ,誘電率及び電荷を変えて調べた。これに加えて,ナノワイヤRFETの感度を,等価MOSFETバイオセンサと比較した閾値電圧変化を評価することにより解析した。得られたすべての解析結果を,著者らのモデルの精度を検証するために,技術計算機支援設計(TCAD)シミュレーションデータによって確認した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *バイオセンサ ,  *ナノワイヤ ,  CAD【計算機】 ,  バイアス ,  極性 ,  電位分布 ,  相互作用 ,  MOSFET ,  誘電率 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： TCAD ,  印加電圧 ,  固定化 ,  閾値電圧 ,  生体分子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 再構成可能FET ,  ナノワイヤ ,  生体分子 ,  金属S/D半導体接合 ,  バイオセンサ ,  しきい値電圧 ,  解析モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： バイオセンサ ,  ナノワイヤ ,  再構成可能 ,  FET ,  変調