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J-GLOBAL ID：201902256539335860   整理番号：19A1142553

UV応用のためのAlGaN QWヘテロ構造の最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of AlGaN QW Heterostructure for UV Applications

著者 (3件)： Dolia Richa (Department of Electronics, Banasthali Vidyapith, Banasthali, Rajasthan, India) ,  Abu-Samak M. (Department of Physics, Al-Hussein Bin Talal University, Ma’an, Jordan) ,  Alvi P. A. (Department of Electronics, Banasthali Vidyapith, Banasthali, Rajasthan, India)
資料名： Lecture Notes in Electrical Engineering  (Lecture Notes in Electrical Engineering)
巻： 478  ページ： 9-14  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5070A  ISSN： 1876-1100  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,AlN材料の層間に挟まれたAlGaN材料の50nm量子井戸(QW)から成るAlN/AlGaN/AlNナノスケールヘテロ構造における紫外(UV)光学利得の存在を報告した。設計したヘテロ構造はI型であり,GaN基板上に成長すると仮定した。ヘテロ構造の光学利得をk.p法を用いて最適化した。シミュレーション結果は,AlGaN QWヘテロ構造におけるピーク光学利得が~760cmのオーダーの~2400Å(UV領域)にあることを示した。それは,UV放射の源としてのAlN/AlGaN/AlNヘテロ構造の可能性を証明した。Copyright 2019 Springer Nature Singapore Pte Ltd. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  紫外線 ,  窒化アルミニウム ,  シミュレーション ,  *最適化 ,  量子井戸
準シソーラス用語： 光利得 ,  紫外 ,  ナノスケール ,  *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 光学利得 ,  I型ヘテロ構造 ,  AlN ,  AlGaN

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 応用 ,  AlGaN ,  ヘテロ構造 ,  最適化