文献

J-GLOBAL ID：201902256571801018   整理番号：19A1416220

グループI元素ドーピングによるZnOナノロッドのガス検知性能の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of gas-sensing performance of ZnO nanorods by group-I elements doping

著者 (2件)： Saaedi Abdolhossein (Department of Electrical Engineering, Mahshahr Branch, Islamic Azad University (I.A.U), Mahshahr, Iran) ,  Yousefi Ramin (Department of Physics, Masjed-Soleiman Branch, Islamic Azad University (I.A.U), Masjed-Soleiman, Iran)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 22  ページ： 224505-224505-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,エタノールに対するグループIドープ(NaおよびKドープ)ZnOナノロッドのガスセンサ性能の比較研究を初めて行った。チューブ炉を用いて,熱蒸着法によりSiO_2/Si基板上にナノロッドを成長させた。X線光電子分光法(XPS)の結果は,KとNaがZnOナノロッド中にドープされていることを確認した。さらに,XPSスペクトルは,KドープZnOナノロッドが,NaドープZnOナノロッドと比較して,より多くの酸素空孔によって成長することを示した。室温光ルミネセンスの結果は,ドープした試料の酸素空孔レベルについてのXPS結果を確認した。ドープしたZnOナノロッドは,非ドープZnOナノロッドと比較して,エタノールに対して優れたガス検知性能を示した。KドープZnOナノロッドは300°Cの動作温度で高いガス検知を示したが,Naドープの動作温度は280°Cであった。さらに,ドープ試料の応答と回復時間は非ドープ試料のそれらより短かった。ドープされたZnOナノロッドの増強されたガスセンシング性能は,ドープされたZnOナノロッド中の大量の酸素空孔に起因する。さらに,グループIドープZnOナノロッドは非ドープZnOナノロッドと比較して良好な選択性を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線光電子スペクトル ,  ガスセンサ ,  真空蒸着 ,  ナトリウム ,  *ドーピング ,  スペクトル ,  光ルミネセンス ,  *ナノロッド ,  X線光電子分光法 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： 回復時間 ,  動作温度 ,  酸素空格子点 ,  シリコンウエハ ,  *ガス検知 ,  *酸化亜鉛ナノロッド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (5件)： グループ ,  元素 ,  ドーピング ,  ZnOナノロッド ,  ガス検知