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J-GLOBAL ID：201902256642310646   整理番号：19A1889036

水素挿入グラフェン/4H-SiC(0001)の界面における非常に緩やかで異常な酸化【JST・京大機械翻訳】

Very Gradual and Anomalous Oxidation at the Interface of Hydrogen-Intercalated Graphene/4H-SiC(0001)

著者 (5件)： Maeda Fumihiko (Department of Information Electronics, Faculty of Engineering, Fukuoka Institute of Technology, Fukuoka, Japan) ,  Maeda Fumihiko (NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, Kanagawa, Japan) ,  Takamura Makoto (NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, Kanagawa, Japan) ,  Hibino Hiroki (NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, Kanagawa, Japan) ,  Hibino Hiroki (Department of Nanotechnology for Sustainable Energy, School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Hyogo, Japan)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 47  ページ： 26389-26396  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリア移動度測定のためにグラフェンに電流を印加した後に光電子分光法とRaman分光法によりSiC(0001)上の水素インターカレートグラフェンの表面を分析し,試料を空気に曝露した。グラフェンとSiCの間の界面でのSiは非常に徐々に酸化するが,グラフェンはそうではないことを見出した。このSi酸化物のSiは主に2価で,酸化物はSiO分子に起因する。これらの分子は揮発性で,SiC(0001)の酸化表面,または空気または酸素中でのアニーリングによって形成された酸素をインターカレーションしたグラフェン/SiC(0001)上では観察されなかった。グラフェン被覆層への電流の適用によって引き起こされるこの異常な酸化は,グラフェン被覆層の存在と室温での酸化のために観察できた。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  電流 ,  酸化ケイ素 ,  焼なまし ,  酸素 ,  *炭化ケイ素 ,  *グラフェン ,  *酸化 ,  *ケイ素 ,  インターカレーション ,  被覆層 ,  キャリア移動度 ,  Raman分光法 ,  光電子分光法 ,  一酸化ケイ素

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素 ,  グラフェン ,  4H-SiC ,  界面 ,  酸化