文献
J-GLOBAL ID:201902256695236753   整理番号:19A2184815

ZrSISノード線Dirac半金属における高異方性層間磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Highly anisotropic interlayer magnetoresitance in ZrSiS nodal-line Dirac semimetal
著者 (18件):
資料名:
巻: 100  号:ページ: 085137  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
面内と面外の電流方向に対する層状ノード線Dirac半金属ZrSiSの角度依存磁気抵抗(AMR)を調べた。この材料は最近,その起源がよく理解されていない興味ある蝶形面内AMRを明らかにした。本研究の目的は,AMRのこの特異な形状の背後にある機構を理解し,面外電流方向におけるAMRをプローブすることである。面内AMRと対照的に,極性面外AMRは顕著なカスプ状特徴を持つ驚くほど異なる応答を示した。磁場が[数式:原文を参照]面に配向するとき,カスプ状異方性の最大値に達した。さらに,方位角面外電流方向に対するAMRは非常に強い4倍の[数式:原文を参照]面異方性を示した。Boltzmannの半古典的輸送理論と第一原理から計算したFermi面を組み合わせて,面内および面外AMRの異常な挙動のすべての顕著な特徴を再現した。カスプ状AMRの主な寄与は正孔ポケットの開いた軌道にあり,一般的にAMRは電荷補償効果と非対角伝導率テンソル要素により強く影響され,特異な蝶形AMRを生じると結論した。最後に,半古典的モデルは,不完全な電荷キャリア補償と開放軌道の効果として,この材料で観測された強い非飽和(副二次)横磁気抵抗の起源を明らかにすることもできた。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
磁性理論  ,  電子輸送の一般理論 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る