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J-GLOBAL ID:201902256695236753   整理番号:19A2184815

ZrSISノード線Dirac半金属における高異方性層間磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Highly anisotropic interlayer magnetoresitance in ZrSiS nodal-line Dirac semimetal
著者 (18件):
資料名:
巻: 100  号:ページ: 085137  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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面内と面外の電流方向に対する層状ノード線Dirac半金属ZrSiSの角度依存磁気抵抗(AMR)を調べた。この材料は最近,その起源がよく理解されていない興味ある蝶形面内AMRを明らかにした。本研究の目的は,AMRのこの特異な形状の背後にある機構を理解し,面外電流方向におけるAMRをプローブすることである。面内AMRと対照的に,極性面外AMRは顕著なカスプ状特徴を持つ驚くほど異なる応答を示した。磁場が[数式:原文を参照]面に配向するとき,カスプ状異方性の最大値に達した。さらに,方位角面外電流方向に対するAMRは非常に強い4倍の[数式:原文を参照]面異方性を示した。Boltzmannの半古典的輸送理論と第一原理から計算したFermi面を組み合わせて,面内および面外AMRの異常な挙動のすべての顕著な特徴を再現した。カスプ状AMRの主な寄与は正孔ポケットの開いた軌道にあり,一般的にAMRは電荷補償効果と非対角伝導率テンソル要素により強く影響され,特異な蝶形AMRを生じると結論した。最後に,半古典的モデルは,不完全な電荷キャリア補償と開放軌道の効果として,この材料で観測された強い非飽和(副二次)横磁気抵抗の起源を明らかにすることもできた。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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磁性理論  ,  電子輸送の一般理論 
タイトルに関連する用語 (4件):
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