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J-GLOBAL ID：201902256720569309   整理番号：19A0863233

キャリア濃度により制御された単一元素ドープn型PbTeの熱電性能【JST・京大機械翻訳】

Thermoelectric performance of single elemental doped n-type PbTe regulated by carrier concentration

著者 (9件)： Sun Hao (Center for High Pressure Science, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China) ,  Yu Fengrong (Center for High Pressure Science, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China) ,  Zhao Peng (Center for High Pressure Science, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China) ,  Wang Binhao (Center for High Pressure Science, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China) ,  Cai Bowen (Center for High Pressure Science, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China) ,  Zhang Long (Center for High Pressure Science, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China) ,  Yu Dongli (Center for High Pressure Science, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China) ,  Tian Yongjun (Center for High Pressure Science, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China) ,  Xu Bo (Center for High Pressure Science, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 787  ページ： 180-185  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一元素ドープn型PbTe化合物を高圧合成とそれに続くスパークプラズマ焼結により成功裏に調製した。熱電特性研究は,これらの試料の性能がキャリア濃度によって制御されることを示した。各ドーピング元素に対して,最大ZTは増加し,キャリア濃度の増加と共により高い温度で生じた。しかし,測定温度範囲にわたる平均ZTは,低温で実質的に小さいZTのために小さくなった。1×10~19cm-3付近の最適キャリア濃度に対して,大部分のドーピング元素に対して約0.7の比較的高い平均ZTを達成した。平均ZTは熱電材料の素子性能を決定するので,著者らの研究は,動的ドーピングと/または階層的フォノン散乱の戦略を組み合わせることにより,n型PbTeの更なる性能増強の基礎として役立つことができる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *テルル化鉛 ,  *キャリア密度 ,  低温 ,  放電プラズマ焼結 ,  *ドーピング ,  熱電材料
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  熱電特性 ,  高圧合成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： テルル化鉛 ,  高圧合成 ,  キャリア濃度 ,  熱電特性

分類 (2件)： 電気的性質  (WB02010Y) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： キャリア濃度 ,  元素 ,  ドープ ,  PbTe