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J-GLOBAL ID:201902256971793655   整理番号:19A2301266

マイクロ波光子と結合したGe/Siナノワイヤ二重量子ドット中に形成されたゲート調整可能な正孔電荷キュービット【JST・京大機械翻訳】

Gate Tunable Hole Charge Qubit Formed in a Ge/Si Nanowire Double Quantum Dot Coupled to Microwave Photons
著者 (11件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 1052-1060  発行年: 2019年 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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制御可能でコヒーレントな光-物質界面は,スケーラブルな量子情報プロセッサのための必須要素である。オンチップ空洞への強い結合は様々な電子量子ドット系で達成されているが,正孔系ではほとんど調べられていない。本論文では,強いスピン-軌道相互作用(SOI)を有する自然一次元正孔ガスであるGe/Siコア/シェルナノワイヤ(NW)で形成された正孔電荷量子ビットに制御可能なマイクロ波伝送線路共振器を含むハイブリッドアーキテクチャを実証し,電気的方法と長いコヒーレンス時間による高速スピン操作を可能にした。電荷量子ビットを,局所電気ゲートにより定義された二重量子ドットにおいて確立した。量子ビット遷移エネルギーは,量子ビット動作と相互作用のために,隣接ドット間の電気化学ポテンシャル差とトンネル結合,開口横方向(σ_x)と縦方向(σ_z)自由度によって独立に調整できる。量子ビットエネルギーが光子レベルを横切って掃引されるので,共振器との結合は,共振器透過分光法によって検出されるように,このようにスイッチされる。観測された共鳴動力学は,2π×55MHzまでの強度をもつ効率的な電荷双極子-光子結合を考慮した完全量子数値シミュレーションにより複製され,SOIを通るスピン共振器結合速度の推定を約10MHzとした。これらの結果はGe/Siナノワイヤにおけるコヒーレント正孔-光子相互作用に関する将来の研究を示している。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  無機化合物一般及び元素 

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