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J-GLOBAL ID:201902257054933069   整理番号:19A1893510

溶液処理金属酸化物薄膜トランジスタの最近の進歩【JST・京大機械翻訳】

Recent Advances of Solution-Processed Metal Oxide Thin-Film Transistors
著者 (5件):
資料名:
巻: 10  号: 31  ページ: 25878-25901  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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溶液処理金属酸化物薄膜トランジスタ(TFT)は将来の大面積フレキシブルエレクトロニクスのための最も有望なトランジスタ技術の一つと考えられている。本研究では,n型酸化物半導体,酸化物誘電体およびp型酸化物半導体を含む溶液処理金属酸化物TFTにおける最近の進歩を調査した。最初に,金属酸化物TFTの歴史と現状に関するレビューを行った。次に,溶液処理n型酸化物半導体における最近の進歩について述べ,低温および大面積溶液ベースのアプローチならびに新しい非ディスプレイ応用に焦点を当てた。次に,低電力エレクトロニクス用の最先端の溶液処理酸化物誘電体の詳細な解析を行った。さらに,溶液ベースのp型酸化物半導体における最近の進歩について議論する。これは,非常に望ましい将来の低コスト大面積相補回路を可能にするであろう。最後に,著者らは結論を引き出して,研究分野に関する展望を概説した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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トランジスタ 
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